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IS43TR16256AL-107MBLI 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 23:03:08 查看 閱讀�22

IS43TR16256AL-107MBLI 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生�(chǎn)的高速同步動(dòng)�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM�。該器件采用 16Mx16 的存�(chǔ)�(jié)�(gòu),提供高�(dá) 256Mb 的存�(chǔ)容量。它支持 DDR2 接口�(biāo)�(zhǔn),適用于高性能�(jì)算、網(wǎng)�(luò)�(shè)備以及工�(yè)控制等應(yīng)用領(lǐng)��
  該芯片通過(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì)和低功耗工藝制造,具備出色的性能和穩(wěn)定�,能夠滿足多種復(fù)雜應(yīng)用場(chǎng)景的需求�

參數(shù)

�(lèi)型:SDRAM
  接口:DDR2
  容量�256Mb
  組織�(jié)�(gòu)�16Mx16
  工作電壓�1.8V
  �(shù)�(jù)速率:最� 667Mbps
  封裝形式:BGA
  引腳�(shù)�196
  工作溫度范圍�-40� � +85�

特�

IS43TR16256AL-107MBLI 提供了高度可靠的存儲(chǔ)解決方案,其主要特點(diǎn)包括�
  1. 支持 DDR2 接口,可�(shí)�(xiàn)雙倍數(shù)�(jù)速率傳輸,顯著提升數(shù)�(jù)吞吐量�
  2. �(nèi)� DLL(延遲鎖定環(huán)�,確保信�(hào)�(shí)序精確對(duì)��
  3. 配備 ODT(片�(nèi)終結(jié)電阻)功�,減少信�(hào)反射并優(yōu)化系�(tǒng)性能�
  4. 支持 CAS 緯度可編程配�,靈活適�(yīng)不同�(yīng)用場(chǎng)景需��
  5. 采用先�(jìn)� CMOS 工藝,降低功耗的同時(shí)提高�(yùn)行效��
  6. 支持自動(dòng)刷新與自刷新模式,簡(jiǎn)化系�(tǒng)管理�(fù)雜度�
  7. 提供全面� ECC(錯(cuò)誤檢查與糾正)支持,增強(qiáng)�(shù)�(jù)完整性與可靠��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于需要大容量、高性能�(nèi)存的�(chǎng)景,例如�
  1. 路由�、交換機(jī)等網(wǎng)�(luò)通信�(shè)備中的緩存或臨時(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
  2. 工業(yè)控制系統(tǒng)中的�(shí)�(shí)�(shù)�(jù)處理模塊�
  3. �(yī)療成像設(shè)備及科學(xué)儀器的�(shù)�(jù)緩沖與分��
  4. 嵌入式系�(tǒng)中的程序�(yùn)行空間擴(kuò)展�
  5. 視頻處理和圖形渲染硬件中的幀緩沖區(qū)存儲(chǔ)�

替代型號(hào)

IS43TR16256A-107MBL, IS43TR16256B-107MBLI

is43tr16256al-107mbli推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

is43tr16256al-107mbli參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝托盤(pán)
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 存儲(chǔ)器類(lèi)�易失
  • 存儲(chǔ)器格�DRAM
  • 技�(shù)SDRAM - DDR3L
  • 存儲(chǔ)容量4Gb
  • 存儲(chǔ)器組�256M x 16
  • 存儲(chǔ)器接�并聯(lián)
  • �(shí)鐘頻�933 MHz
  • �(xiě)周期�(shí)� - 字,�(yè)15ns
  • 訪問(wèn)�(shí)�20 ns
  • 電壓 - 供電1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度-40°C ~ 95°C(TC�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 封裝/外殼96-TFBGA
  • 供應(yīng)商器件封�96-TWBGA�9x13�