IS43TR16256AL-107MBLI 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生�(chǎn)的高速同步動(dòng)�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM�。該器件采用 16Mx16 的存�(chǔ)�(jié)�(gòu),提供高�(dá) 256Mb 的存�(chǔ)容量。它支持 DDR2 接口�(biāo)�(zhǔn),適用于高性能�(jì)算、網(wǎng)�(luò)�(shè)備以及工�(yè)控制等應(yīng)用領(lǐng)��
該芯片通過(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì)和低功耗工藝制造,具備出色的性能和穩(wěn)定�,能夠滿足多種復(fù)雜應(yīng)用場(chǎng)景的需求�
�(lèi)型:SDRAM
接口:DDR2
容量�256Mb
組織�(jié)�(gòu)�16Mx16
工作電壓�1.8V
�(shù)�(jù)速率:最� 667Mbps
封裝形式:BGA
引腳�(shù)�196
工作溫度范圍�-40� � +85�
IS43TR16256AL-107MBLI 提供了高度可靠的存儲(chǔ)解決方案,其主要特點(diǎn)包括�
1. 支持 DDR2 接口,可�(shí)�(xiàn)雙倍數(shù)�(jù)速率傳輸,顯著提升數(shù)�(jù)吞吐量�
2. �(nèi)� DLL(延遲鎖定環(huán)�,確保信�(hào)�(shí)序精確對(duì)��
3. 配備 ODT(片�(nèi)終結(jié)電阻)功�,減少信�(hào)反射并優(yōu)化系�(tǒng)性能�
4. 支持 CAS 緯度可編程配�,靈活適�(yīng)不同�(yīng)用場(chǎng)景需��
5. 采用先�(jìn)� CMOS 工藝,降低功耗的同時(shí)提高�(yùn)行效��
6. 支持自動(dòng)刷新與自刷新模式,簡(jiǎn)化系�(tǒng)管理�(fù)雜度�
7. 提供全面� ECC(錯(cuò)誤檢查與糾正)支持,增強(qiáng)�(shù)�(jù)完整性與可靠��
該芯片廣泛應(yīng)用于需要大容量、高性能�(nèi)存的�(chǎng)景,例如�
1. 路由�、交換機(jī)等網(wǎng)�(luò)通信�(shè)備中的緩存或臨時(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
2. 工業(yè)控制系統(tǒng)中的�(shí)�(shí)�(shù)�(jù)處理模塊�
3. �(yī)療成像設(shè)備及科學(xué)儀器的�(shù)�(jù)緩沖與分��
4. 嵌入式系�(tǒng)中的程序�(yùn)行空間擴(kuò)展�
5. 視頻處理和圖形渲染硬件中的幀緩沖區(qū)存儲(chǔ)�
IS43TR16256A-107MBL, IS43TR16256B-107MBLI