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IS43TR16512BL-125KBLI 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/15 12:16:27 查看 閱讀�21

IS43TR16512BL-125KBLI 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生�(chǎn)的高�、低功� SDRAM 芯片。這款芯片具有高密度存儲能�,適用于需要大容量�(nèi)存和快速數(shù)�(jù)傳輸?shù)碾娮釉O(shè)�,例如網(wǎng)�(luò)�(shè)備、工�(yè)控制、通信系統(tǒng)�。該芯片采用�(biāo)�(zhǔn)� TSOP 封裝形式,支持多種工作模式,以滿足不同的�(yīng)用場景需��
  IS43TR16512BL-125KBLI 的設(shè)�(jì)符合 JEDEC �(biāo)�(zhǔn)�(guī)范,確保其在行業(yè)中的兼容性和�(wěn)定�。憑借其高性能和可靠�,這款芯片被廣泛用于各種嵌入式系統(tǒng)��

參數(shù)

存儲容量�16M x 8 bits
工作電壓�2.5V ± 0.2V
訪問�(shí)間:12ns
�(shù)�(jù)寬度�8�
I/O �(shù)量:54
封裝形式:TSOP II
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
引腳間距�0.5mm
�(shí)鐘頻率:最高可�(dá) 166MHz

特�

IS43TR16512BL-125KBLI 提供了出色的性能和可靠性。以下是其主要特性:
  1. 高速運(yùn)行:支持高達(dá) 166MHz 的時(shí)鐘頻�,能夠快速處理大量數(shù)�(jù)�
  2. 多種操作模式:支持正常模式、自刷新模式、電源管理模式以� Burst 模式,可根據(jù)�(shí)際需求選擇適合的工作狀�(tài)�
  3. �(wěn)定性:遵循 JEDEC �(biāo)�(zhǔn)�(shè)�(jì),保證與其他硬件的高度兼容��
  4. 低功耗:在待�(jī)或低�(fù)載條件下可以�(jìn)入省電模�,減少能量消��
  5. 高密度存儲:提供 16M x 8 的存儲配置,滿足�(xiàn)代應(yīng)用對大容量的需��
  6. 廣泛的工作溫度范圍:能夠� -40°C � +85°C 的環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行,適應(yīng)多種工業(yè)�(huán)境�

�(yīng)�

IS43TR16512BL-125KBLI 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(wǎng)�(luò)�(shè)備:如路由器、交換機(jī)等需要高效數(shù)�(jù)處理和存儲的�(shè)��
  2. 工業(yè)控制:用于工�(yè)自動化系�(tǒng),提供可靠的�(nèi)存支��
  3. 嵌入式系�(tǒng):在各種嵌入式設(shè)備中作為主內(nèi)存使��
  4. 通信系統(tǒng):支持實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)傳輸和存儲需求�
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如數(shù)字電�、機(jī)頂盒等需要大容量�(nèi)存的�(shè)��

替代型號

IS43TR16512B-125KBI,
  IS43TR16512A-125KBI,
  IS43TR16512C-125KBI

is43tr16512bl-125kbli推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

is43tr16512bl-125kbli參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�3,948�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �216.56000托盤
  • 系列-
  • 包裝托盤
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 存儲器類�易失
  • 存儲器格�DRAM
  • 技�(shù)SDRAM - DDR3L
  • 存儲容量8Gb
  • 存儲器組�512M x 16
  • 存儲器接�并聯(lián)
  • �(shí)鐘頻�800 MHz
  • 寫周期時(shí)� - �,頁-
  • 訪問�(shí)�20 ns
  • 電壓 - 供電1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度-40°C ~ 95°C(TC�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼96-TFBGA
  • 供應(yīng)商器件封�96-TWBGA�10x14�