時間：2025/5/27 9:58:48
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IS61WV25616BLL-10BLI 是一款由 ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生產(chǎn)的高性能同步靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）。該芯片采用 CMOS 工藝制造，具有低功耗和高可靠性的特點。它提供 256K x 16 的存儲容量，并支持標準的同步接口協(xié)議，適合用于需要高速數(shù)據(jù)訪問和臨時數(shù)據(jù)存儲的應用場景。
該器件支持單電源供電，工作電壓范圍為 3.3V，并兼容多種工業(yè)級和商業(yè)級應用環(huán)境。
存儲容量：256K x 16
接口類型：同步
數(shù)據(jù)寬度：16位
訪問時間：10ns
供電電壓：3.3V
封裝類型：TQFP100
工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
引腳數(shù)：100
IS61WV25616BLL-10BLI 提供快速的數(shù)據(jù)訪問速度，典型訪問時間為 10ns，適用于對延遲敏感的實時系統(tǒng)。
芯片支持全自動刷新功能，從而減少了外部控制器的負擔。
其低功耗特性使其非常適合便攜式設備或需要節(jié)能的嵌入式系統(tǒng)。
該 SRAM 支持 Burst 模式操作，能夠顯著提升連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸?shù)男省?br> 此外，該器件還具備簡單易用的控制邏輯，與大多數(shù)微處理器和 FPGA 兼容，簡化了系統(tǒng)設計流程。
IS61WV25616BLL-10BLI 廣泛應用于需要高速緩存和臨時數(shù)據(jù)存儲的領域，例如網(wǎng)絡通信設備、打印機緩沖區(qū)、圖像處理設備以及各種工業(yè)控制系統(tǒng)。
在視頻處理中，該芯片可以用作幀緩沖存儲器以提高圖像渲染速度。
此外，它也常被用作嵌入式系統(tǒng)的高速緩存，配合微控制器或 DSP 使用，以優(yōu)化整體性能。
由于其寬溫度范圍支持，該器件也適用于惡劣環(huán)境下的軍工和航空航天項目。
IS61WV25616BLL-12BLLI
IS61WV25616BLL-15BLLI
CY7C1041DV33-10LC
ISSI IS61WV51216BLL-10BLI
