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IS61WV25616BLL-10TLI-TR 發(fā)布時間 時間:2025/4/30 16:51:48 查看 閱讀:39

IS61WV25616BLL-10TLI-TR 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生產(chǎn)的高速 CMOS 靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)。該芯片采用先進的制造工藝,提供高密度、低功耗和快速訪問時間的特性,適用于需要高性能存儲解決方案的應(yīng)用場景。
  這款 SRAM 的組織結(jié)構(gòu)為 256K x 16 位,總?cè)萘繛?4Mbit。其工作電壓范圍為 3.3V,并支持工業(yè)級溫度范圍(-40°C 至 +85°C),確保在各種環(huán)境條件下可靠運行。此外,該器件采用符合行業(yè)標準的 TQFP 封裝形式,便于集成到復雜的電子系統(tǒng)中。

參數(shù)

容量:4Mbit
  組織結(jié)構(gòu):256K x 16
  訪問時間:10ns
  工作電壓:3.3V
  溫度范圍:-40°C 至 +85°C
  封裝形式:TQFP
  I/O 數(shù)量:32

特性

IS61WV25616BLL-10TLI-TR 提供了以下關(guān)鍵特性:
  1. 快速訪問時間:10ns 的典型訪問時間確保了數(shù)據(jù)的高效讀寫操作。
  2. 高密度存儲:256K x 16 的存儲結(jié)構(gòu)提供了較大的存儲空間,適合復雜應(yīng)用需求。
  3. 低功耗設(shè)計:在待機模式下具有極低的功耗,適合對能效要求較高的應(yīng)用場景。
  4. 工業(yè)級溫度范圍:能夠在 -40°C 至 +85°C 的寬溫范圍內(nèi)穩(wěn)定運行,適用于惡劣環(huán)境。
  5. 引腳兼容性:與同類 SRAM 器件引腳兼容,便于升級或替換現(xiàn)有設(shè)計。
  6. 高可靠性:經(jīng)過嚴格測試,確保在長時間使用中的穩(wěn)定性。

應(yīng)用

IS61WV25616BLL-10TLI-TR 廣泛應(yīng)用于需要高性能存儲解決方案的領(lǐng)域,包括但不限于:
  1. 網(wǎng)絡(luò)設(shè)備:如路由器、交換機等需要快速數(shù)據(jù)緩存的場合。
  2. 工業(yè)控制:用于實時數(shù)據(jù)采集與處理系統(tǒng)。
  3. 通信系統(tǒng):支持高速數(shù)據(jù)傳輸及緩沖。
  4. 醫(yī)療設(shè)備:如超聲波設(shè)備、監(jiān)護儀等需要可靠存儲的醫(yī)療儀器。
  5. 軍事與航空航天:由于其寬溫特性和高可靠性,適合特殊環(huán)境下的應(yīng)用。
  6. 消費類電子產(chǎn)品:高端消費類設(shè)備需要大容量、快速響應(yīng)的存儲方案。

替代型號

IS61WV25616BLL-10BLL
  IS61WV25616BLL-10BLL-T
  IS61WV25616BLL-12BLL
  IS61WV25616BLL-12BLL-T

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is61wv25616bll-10tli-tr參數(shù)

  • 制造商ISSI
  • 產(chǎn)品種類靜態(tài)隨機存取存儲器
  • 存儲容量4 Mbit
  • 訪問時間10 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min2.4 V
  • 最大工作電流40 mA
  • 最大工作溫度+ 85 C
  • 最小工作溫度- 40 C
  • 安裝風格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體TSOP-II
  • 封裝Reel
  • 端口數(shù)量1
  • 工廠包裝數(shù)量1000
  • 類型Asynchronous