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IS61WV25616BLL-10TLI-TR 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 16:51:48 查看 閱讀�39

IS61WV25616BLL-10TLI-TR 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生�(chǎn)的高� CMOS 靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)。該芯片采用先進的制造工�,提供高密度、低功耗和快速訪問時間的特性,適用于需要高性能存儲解決方案的應(yīng)用場��
  這款 SRAM 的組織結(jié)�(gòu)� 256K x 16 �,總?cè)萘繛?4Mbit。其工作電壓范圍� 3.3V,并支持工業(yè)級溫度范圍(-40°C � +85°C�,確保在各種�(huán)境條件下可靠運行。此�,該器件采用符合行業(yè)標準� TQFP 封裝形式,便于集成到復雜的電子系�(tǒng)��

參數(shù)

容量�4Mbit
  組織�(jié)�(gòu)�256K x 16
  訪問時間�10ns
  工作電壓�3.3V
  溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式:TQFP
  I/O �(shù)量:32

特�

IS61WV25616BLL-10TLI-TR 提供了以下關(guān)鍵特性:
  1. 快速訪問時間:10ns 的典型訪問時間確保了�(shù)�(jù)的高效讀寫操��
  2. 高密度存儲:256K x 16 的存儲結(jié)�(gòu)提供了較大的存儲空間,適合復雜應(yīng)用需��
  3. 低功耗設(shè)計:在待機模式下具有極低的功耗,適合對能效要求較高的�(yīng)用場��
  4. 工業(yè)級溫度范圍:能夠� -40°C � +85°C 的寬溫范圍內(nèi)�(wěn)定運�,適用于惡劣�(huán)��
  5. 引腳兼容性:與同� SRAM 器件引腳兼容,便于升級或替換�(xiàn)有設(shè)��
  6. 高可靠性:�(jīng)過嚴格測試,確保在長時間使用中的�(wěn)定��

�(yīng)�

IS61WV25616BLL-10TLI-TR 廣泛�(yīng)用于需要高性能存儲解決方案的領(lǐng)�,包括但不限于:
  1. �(wǎng)�(luò)�(shè)備:如路由器、交換機等需要快速數(shù)�(jù)緩存的場��
  2. 工業(yè)控制:用于實時數(shù)�(jù)采集與處理系�(tǒng)�
  3. 通信系統(tǒng):支持高速數(shù)�(jù)傳輸及緩沖�
  4. �(yī)療設(shè)備:如超聲波�(shè)�、監(jiān)護儀等需要可靠存儲的�(yī)療儀器�
  5. 軍事與航空航天:由于其寬溫特性和高可靠性,適合特殊�(huán)境下的應(yīng)��
  6. 消費類電子產(chǎn)品:高端消費類設(shè)備需要大容量、快速響�(yīng)的存儲方案�

替代型號

IS61WV25616BLL-10BLL
  IS61WV25616BLL-10BLL-T
  IS61WV25616BLL-12BLL
  IS61WV25616BLL-12BLL-T

is61wv25616bll-10tli-tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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is61wv25616bll-10tli-tr參數(shù)

  • 制造商ISSI
  • �(chǎn)品種�靜態(tài)隨機存取存儲�
  • 存儲容量4 Mbit
  • 訪問時間10 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min2.4 V
  • 最大工作電�40 mA
  • 最大工作溫�+ 85 C
  • 最小工作溫�- 40 C
  • 安裝風格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體TSOP-II
  • 封裝Reel
  • 端口�(shù)�1
  • 工廠包裝�(shù)�1000
  • 類型Asynchronous