�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�
制造商: Fairchild Semiconductor
�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�
封裝 / 箱體: TO-263AB
集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 430 V
集電極—射極擊穿電�: 400 V
集電極—射極飽和電�: 1.25 V
柵極/�(fā)射極最大電�: 10 V
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 21 A
柵極—射極漏泄電�: 150 W
功率耗散: 150 W
封裝: Reel
配置: Single
最大工作溫�: + 175�
最小工作溫�: - 40�