IXDD604SIATR是英飛凌(Infineon)推出的一款N溝道增強型MOSFET晶體�,采用TO-263-3封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,廣泛應(yīng)用于各種電源管理和功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,例如電機�(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)�。其耐壓能力�60V,適合中低壓�(yīng)用場��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�45A
�(dǎo)通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�79nC
開關(guān)時間:典型值ton=18ns,toff=12ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
IXDD604SIATR具備低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低功率損耗,提升系統(tǒng)效率。同�,該器件的高雪崩能力和堅固的�(jié)�(gòu)使其能夠在嚴(yán)苛條件下�(wěn)定運��
此外,它的快速開�(guān)特性有助于減少開關(guān)損耗,并且與控制器IC兼容的邏輯電平驅(qū)動使得設(shè)計更加靈�。得益于TO-263-3封裝的出色散熱性能,這款MOSFET非常適合高密度功率應(yīng)��
IXDD604SIATR適用于多種電力電子設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換和控制場景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
- DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)
- 汽車電子中的電機�(qū)動和�(fù)載管�
- 工業(yè)自動化中的繼電器替代方案
- 筆記本電腦適配器及充電器
- 各類�(fù)載開�(guān)和保護電�
IXTH80N10L2T2
IRF840
FDP17N10