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IXFR26N60Q 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2024/9/24 11:25:21 查看 閱讀：503

參數(shù)

類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
　　家庭：MOSFET，GaNFET-單
　　系列：HiPerFET?
　　FET型：MOSFET N通道，金屬氧化物
　　FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
　　開態(tài)Rds（最大） Id,Vgs 25°C：250毫歐 13A,10V
　　漏極至源極電壓(Vdss)：600V
　　電流-連續(xù)漏極(Id) 25°C：23A
　　Id時(shí)的Vgs(th)（最大）：4.5V 4mA
　　閘電荷(Qg) Vgs：200nC 10V
　　在Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：5100pF 25V
　　功率-最大：310W

封裝參數(shù)

安裝類型：通孔
　　封裝/外殼：ISOPLUS247?
　　包裝：管件

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ixfr26n60q參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝30
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C23A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C250 毫歐 @ 13A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4.5V @ 4mA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs200nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds5100pF @ 25V
  • 功率 - 最大310W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼ISOPLUS247?
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝ISOPLUS247?
  • 包裝管件