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IXFR26N60Q 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/9/24 11:25:21 查看 閱讀�503

參數(shù)

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
  家庭:MOSFET,GaNFET-�
  系列:HiPerFET?
  FET型:MOSFET N通道,金屬氧化物
  FET特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�
  開態(tài)Rds(最大) Id,Vgs 25°C�250毫歐 13A,10V
  漏極至源極電�(Vdss)�600V
  電流-連續(xù)漏極(Id) 25°C�23A
  Id�(shí)的Vgs(th)(最大)�4.5V 4mA
  閘電�(Qg) Vgs�200nC 10V
  在Vds�(shí)的輸入電�(Ciss)�5100pF 25V
  功率-最大:310W

封裝參數(shù)

安裝類型:通孔
  封裝/外殼:ISOPLUS247?
  包裝:管�

ixfr26n60q推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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ixfr26n60q參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝30
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HiPerFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C23A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C250 毫歐 @ 13A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4.5V @ 4mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs200nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds5100pF @ 25V
  • 功率 - 最�310W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼ISOPLUS247?
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�ISOPLUS247?
  • 包裝管件