JSM125N04D是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高電子遷移率晶體管(HEMT),適用于高頻、高效能應用。該器件具有低導通電阻和快速開關特性,適合用于電源轉換、DC-DC轉換器以及各類高頻功率應用中。
由于其材料特性和結構設計,JSM125N04D能夠在高頻率下保持較低的能量損耗,同時提供出色的散熱性能,非常適合對效率和體積要求較高的場景。
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流:電阻:4mΩ
柵源開啟電壓:1.8V~3.6V
開關速度:納秒級
工作溫度范圍:-55℃~+175℃
JSM125N04D采用先進的氮化鎵技術,具備以下關鍵特性:
1. 高效功率轉換:得益于低導通電阻(Rds(on)),在高頻開關條件下可顯著減少能量損耗。
2. 快速開關能力:納秒級開關速度使其非常適合高頻應用場景。
3. 高溫適應性:工作溫度范圍寬廣,最高可達175℃,滿足工業(yè)及汽車環(huán)境需求。
4. 小型化設計:與傳統(tǒng)硅基MOSFET相比,GaN器件能夠在更小的芯片面積上實現(xiàn)更高的性能。
5. 穩(wěn)定性強:在高溫、高壓和高頻環(huán)境下表現(xiàn)出優(yōu)異的穩(wěn)定性,延長使用壽命。
JSM125N04D主要應用于以下領域:
1. 電源管理:包括AC-DC和DC-DC轉換器,太陽能逆變器等。
2. 汽車電子:如車載充電器(OBC)、DC-DC變換器等。
3. 工業(yè)設備:高頻焊機、電機驅動器和不間斷電源(UPS)。
4. 消費類電子產(chǎn)品:快充適配器、筆記本電腦電源等。
其高頻、高效和小型化的特點使其成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的理想選擇。
JSM100N04D
JSM150N04D
GXT125N04D