JSM80N80C是一款高性能的MOSFET功率晶體�,采用N溝道增強(qiáng)型技�(shù)。它適用于高電壓和大電流的應(yīng)用場(chǎng)�,具有低�(dǎo)通電阻、快速開�(guān)速度以及出色的熱�(wěn)定性等特�。這款芯片廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(lǐng)��
該器件使用TO-247封裝形式,便于散熱和集成到各種工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中�
最大漏源電壓:800V
最大連續(xù)漏極電流�80A
�(dǎo)通電阻:0.12Ω
柵極電荷�65nC
功耗:300W
工作溫度范圍�-55� to +150�
JSM80N80C具有非常低的�(dǎo)通電�,這有助于減少功率損耗并提高效率。其快速的開關(guān)速度能夠支持高頻操作,適合現(xiàn)代電子設(shè)備的需�。此�,該芯片具備良好的雪崩能力和熱穩(wěn)定性,從而在異常條件下也能保持可靠的工作狀�(tài)�
它的高擊穿電壓允許在高壓�(huán)境下�(yùn)行,而大電流處理能力則確保了其在重載情況下的表現(xiàn)。同�(shí),該器件還采用了先�(jìn)的制造工�,以提供一致性和耐用��
這款MOSFET主要�(yīng)用于開關(guān)電源(SMPS)、不間斷電源(UPS�、逆變�、電�(dòng)工具、LED照明�(qū)�(dòng)器以及各類工�(yè)控制�(shè)備中。由于其卓越的性能,JSM80N80C非常適合用于需要高效率和高可靠性的電力電子系統(tǒng)�
在汽車電子領(lǐng)�,它可以作為�(fù)載開�(guān)或電�(jī)控制器的一部分;在消費(fèi)類電子產(chǎn)品中,常被用作電源適配器的核心元��
IRFP250N, STP80N10, FDP18N80