K3D-5620M5(AC) 是一款基于高密度存儲技�(shù)� NAND Flash 芯片,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制以及嵌入式系�(tǒng)�。該芯片采用先�(jìn)的工藝制�,具備高性能和高可靠性,支持多種接口�(xié)議和�(shù)�(jù)管理功能,適用于需要大容量存儲的應(yīng)用場��
其主要特�(diǎn)包括低功耗設(shè)�(jì)、高速數(shù)�(jù)傳輸能力以及�(qiáng)大的�(cuò)誤糾正能力(ECC),能夠滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對存儲性能和穩(wěn)定性的要求�
容量�512Gb
接口類型:Toggle DDR 2.0
工作電壓�1.8V
封裝形式:BGA
I/O 接口電壓�1.8V
頁大?�?6KB
塊大小:1024KB
通道�(shù)�
�(shù)�(jù)傳輸速率�400MT/s
擦寫壽命�3000�
工作溫度范圍�-40� � +85�
K3D-5620M5(AC) 具備以下顯著特性:
1. 高密度存儲:單顆芯片提供 512Gb 的存儲容�,適合需要大容量存儲的應(yīng)��
2. 快速數(shù)�(jù)傳輸:支� Toggle DDR 2.0 接口�(xié)�,數(shù)�(jù)傳輸速率高達(dá) 400MT/s�
3. �(qiáng)大的 ECC 功能:內(nèi)置錯(cuò)誤糾正機(jī)�,可有效提升�(shù)�(jù)讀寫的�(wěn)定性與可靠��
4. 低功耗設(shè)�(jì):優(yōu)化的電路�(jié)�(gòu)使其在運(yùn)行和待機(jī)狀�(tài)下均能保持較低的功耗水��
5. 廣泛的工作溫度范圍:能夠� -40� � +85� 的溫度范圍內(nèi)正常工作,適�(yīng)各種�(huán)境條件下的應(yīng)用需��
6. �(wěn)定性強(qiáng):經(jīng)過嚴(yán)格測試,確保長期使用的可靠性和耐用��
K3D-5620M5(AC) 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如智能手�(jī)、平板電�、數(shù)碼相�(jī)等,提供高效的存儲解決方��
2. 工業(yè)控制�(shè)備:用于工控�(jì)算機(jī)、自動化控制系統(tǒng)中的�(shù)�(jù)存儲模塊�
3. 嵌入式系�(tǒng):為物聯(lián)�(wǎng)�(shè)�、網(wǎng)�(luò)路由器及交換�(jī)等提供穩(wěn)定的存儲支持�
4. �(shù)�(jù)記錄�(shè)備:如行車記錄儀、監(jiān)�?cái)z像頭等需要長�(shí)間連續(xù)存儲�(shù)�(jù)的設(shè)��
5. �(yī)療設(shè)備:為便攜式�(yī)療儀器和診斷�(shè)備提供可靠的存儲功能�
K3QF5W1CMM-BGCH, KLMRG2TETD-B031, KBGV7R8U4M-B031