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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > NTD5865NLT4G

NTD5865NLT4G 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 18:07:27 查看 閱讀�27

NTD5865NLT4G 是一� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),由 ON Semiconductor(安森美半導體)生產。該器件采用 LFPAK88 封裝,適用于高頻開關應用以及功率轉換場景。其低導通電阻和快速開關速度使其成為高效率電源管理設計的理想選擇�

參數

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏電流:12A
  最大脈沖漏電流�36A
  導通電阻(典型值,Vgs=10V):1.9mΩ
  柵極電荷�37nC
  反向恢復時間�26ns
  工作結溫范圍�-55� � +175�

特�

NTD5865NLT4G 的主要特點是其極低的導通電阻(Rds(on)�,這有助于減少傳導損耗并提高系統效率。此�,該器件具有快速開關能�,能夠顯著降低開關損��
  它采用了 LFPAK88 封裝,這種封裝形式不僅提供了良好的散熱性能,還支持表面貼裝技術(SMT�,從而簡化了制造流��
  � MOSFET 在汽車電子、工�(yè)控制及消費類電子產品中表現出�,特別適合用� DC-DC 轉換器、電機驅動和負載開關等應��

應用

NTD5865NLT4G 廣泛應用于需要高效功率管理的場合,包括但不限于以下領域:
  - 汽車電子中的電池管理系統(BMS)和電動助力轉向(EPS�
  - 工業(yè)設備中的逆變器和電機驅動
  - 消費類電子產品的適配器和充電�
  - 高效 DC-DC 轉換�
  - 開關模式電源(SMPS�

替代型號

NTMFS5C626NL, IRF7739TRPBF, AO4402A

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ntd5865nlt4g參數

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C40A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16 毫歐 @ 20A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs29nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1400pF @ 25V
  • 功率 - 最�52W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應商設備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTD5865NLT4G-NDNTD5865NLT4GOSTR