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SI4850EY-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/30 16:33:53 查看 閱讀：30

SI4850EY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的高功率 MOSFET 芯片，主要用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。該器件采用了 Vishay 的最新一代 TrenchFET 技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 和高效率的特點(diǎn)，能夠在高頻工作條件下提供出色的性能。
　　此型號(hào)屬于 Vishay Siliconix 系列，專門設(shè)計(jì)用于需要高電流處理能力和低功耗的應(yīng)用場(chǎng)景。

參數(shù)

類型：MOSFET
　　封裝：TO-263-7
　　最大漏源電壓 (Vdss)：60V
　　最大連續(xù)漏極電流 (Id)：50A
　　導(dǎo)通電阻 (Rds(on))：1.5mΩ
　　柵極電荷 (Qg)：45nC
　　總功耗 (Ptot)：165W
　　工作溫度范圍 (Tj)：-55°C 至 +175°C

特性

SI4850EY-T1-E3 使用了先進(jìn)的 TrenchFET Gen IV 技術(shù)，從而實(shí)現(xiàn)了更低的導(dǎo)通電阻和更高的效率。
　　其主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（1.5mΩ），能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗。
　　2. 高電流處理能力（最大 50A 持續(xù)電流），適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
　　3. 快速開關(guān)速度，得益于優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì)，適合高頻開關(guān)電路。
　　4. 寬工作溫度范圍（-55°C 至 +175°C），使其在極端環(huán)境下也能可靠運(yùn)行。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
　　此外，該器件還具有優(yōu)異的熱性能和可靠性，非常適合工業(yè)級(jí)和汽車級(jí)應(yīng)用。

應(yīng)用

SI4850EY-T1-E3 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）中的主開關(guān)管或同步整流管。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的高端或低端開關(guān)。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率開關(guān)。
　　4. 太陽(yáng)能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和控制。
　　由于其高電流能力和低導(dǎo)通電阻，該芯片特別適合需要高效能量轉(zhuǎn)換和低發(fā)熱的應(yīng)用場(chǎng)合。

替代型號(hào)

SI4849DY, IRF7729TRPBF

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si4850ey-t1-e3參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表SI4850EY
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C22 毫歐 @ 6A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs27nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.7W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI4850EY-T1-E3TR