SI4850EY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的高功率 MOSFET 芯片,主要用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。該器件采用了 Vishay 的最新一代 TrenchFET 技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 和高效率的特點(diǎn),能夠在高頻工作條件下提供出色的性能。
此型號(hào)屬于 Vishay Siliconix 系列,專門設(shè)計(jì)用于需要高電流處理能力和低功耗的應(yīng)用場(chǎng)景。
類型:MOSFET
封裝:TO-263-7
最大漏源電壓 (Vdss):60V
最大連續(xù)漏極電流 (Id):50A
導(dǎo)通電阻 (Rds(on)):1.5mΩ
柵極電荷 (Qg):45nC
總功耗 (Ptot):165W
工作溫度范圍 (Tj):-55°C 至 +175°C
SI4850EY-T1-E3 使用了先進(jìn)的 TrenchFET Gen IV 技術(shù),從而實(shí)現(xiàn)了更低的導(dǎo)通電阻和更高的效率。
其主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(1.5mΩ),能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗。
2. 高電流處理能力(最大 50A 持續(xù)電流),適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
3. 快速開關(guān)速度,得益于優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì),適合高頻開關(guān)電路。
4. 寬工作溫度范圍(-55°C 至 +175°C),使其在極端環(huán)境下也能可靠運(yùn)行。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
此外,該器件還具有優(yōu)異的熱性能和可靠性,非常適合工業(yè)級(jí)和汽車級(jí)應(yīng)用。
SI4850EY-T1-E3 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的高端或低端開關(guān)。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率開關(guān)。
4. 太陽(yáng)能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和控制。
由于其高電流能力和低導(dǎo)通電阻,該芯片特別適合需要高效能量轉(zhuǎn)換和低發(fā)熱的應(yīng)用場(chǎng)合。
SI4849DY, IRF7729TRPBF