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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > K4B2G1646F-BCK0

K4B2G1646F-BCK0 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 14:06:34 查看 閱讀�25

K4B2G1646F-BCK0 是一款由三星(Samsung)生�(chǎn)� DDR3 SDRAM �(nèi)存顆粒。該芯片采用先進的制程工藝制�,具有高容量、低功耗和高速度的特�,廣泛應(yīng)用于臺式�、筆記本電腦以及嵌入式系�(tǒng)等需要大容量�(nèi)存支持的場景�
  這款芯片單顆容量� 2Gb�256Mb x 8�,屬� DDR3-1600 �(guī)格,工作電壓� 1.35V � 1.5V,符� JEDEC �(biāo)�(zhǔn)。其出色的性能和可靠性使其成為主流市場中的熱門選擇�

參數(shù)

容量�2Gb (256Mb x 8)
  類型:DDR3 SDRAM
  速度:DDR3-1600
  工作電壓�1.35V / 1.5V
  封裝形式:BGA
  引腳�(shù)�78-ball
  �(shù)�(jù)寬度:x8
  組織方式�512M x 8bit
  溫度范圍�-40°C ~ +85°C

特�

K4B2G1646F-BCK0 具備以下主要特性:
  1. 高速傳輸能力:支持高達 1600MT/s 的數(shù)�(jù)速率,能夠滿足現(xiàn)代計算設(shè)備對�(nèi)存帶寬的需��
  2. 低功耗設(shè)計:支持 1.35V � 1.5V 雙電壓模式,有效降低能��
  3. �(wěn)定性與可靠性:采用先進的制造工�,確保在各種�(huán)境下的穩(wěn)定運��
  4. 小型化封裝:BGA 封裝形式,節(jié)省空�,適合緊湊型�(shè)計需��
  5. 廣泛兼容性:符合 JEDEC DDR3 �(biāo)�(zhǔn),便于與其他硬件無縫集成�

�(yīng)�

K4B2G1646F-BCK0 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 桌面計算機和服務(wù)器內(nèi)存條�
  作為�(gòu)建高性能�(nèi)存模塊的核心元件,用于提升系�(tǒng)的整體性能�
  2. 筆記本電腦:
  為輕薄型移動�(shè)備提供快速且可靠的內(nèi)存解決方��
  3. 嵌入式系�(tǒng)�
  適用于工�(yè)控制、網(wǎng)�(luò)通信等領(lǐng)域中需要大容量�(nèi)存支持的�(yīng)用場��
  4. 游戲主機及圖形處理單元:
  滿足實時渲染和復(fù)雜計算任�(wù)對內(nèi)存的高要��

替代型號

K4B2G1646D-BCK0, K4B2G1646Q-BCK0

k4b2g1646f-bck0推薦供應(yīng)� 更多>

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