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K4B4G1646E-BCK0 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 16:32:26 查看 閱讀�20

K4B4G1646E-BCK0 是由三星(Samsung)生�(chǎn)的一� DDR3L SDRAM 芯片,主要用于需要低功耗內(nèi)存解決方案的�(yīng)用場�。該芯片支持 1.35V 的工作電�,具有高密度和高性能的特�(diǎn),適用于筆記本電�、平板電�、嵌入式系統(tǒng)和其他便攜式電子�(shè)備�
  DDR3L � DDR3 的低電壓版本,能夠在保證性能的同�(shí)降低功耗,滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品對能效的嚴(yán)格要��

參數(shù)

容量�4Gb (512MBx8)
  類型:DDR3L SDRAM
  工作電壓�1.35V
  �(shù)�(jù)速率�1600Mbps
  組織方式�512M x 8
  封裝類型:BGA 78-ball
  工作溫度�-40°C � +85°C
  I/O �(biāo)�(zhǔn)�1.35V VTT
  引腳間距�1.0mm

特�

K4B4G1646E-BCK0 提供了出色的性能和低功耗表�(xiàn)。其主要特性包括:
  1. 支持 DDR3L �(xié)議,兼容�(biāo)�(zhǔn) DDR3 �(nèi)存接��
  2. 工作電壓� 1.35V,相比傳�(tǒng)� DDR3 �(nèi)存(1.5V)降低了功��
  3. �(shù)�(jù)速率�(dá)� 1600Mbps,能夠滿足多種應(yīng)用場合對高速數(shù)�(jù)傳輸?shù)男枨�?br>  4. 高密度設(shè)�(jì),單顆芯片即可提� 4Gb 容量�
  5. 封裝采用緊湊� BGA 78 球設(shè)�(jì),適合空間受限的�(yīng)用環(huán)��
  6. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)各種�(yán)苛的工作�(huán)��
  7. 具有突發(fā)長度� 8 和讀寫延遲可�(diào)的功�,可根據(jù)具體需求優(yōu)化性能�

�(yīng)�

K4B4G1646E-BCK0 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 筆記本電腦和超極��
  2. 平板電腦和其他移動設(shè)備�
  3. 嵌入式系�(tǒng),如工業(yè)控制、網(wǎng)�(luò)通信�(shè)備等�
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)�,例如智能電視和�(jī)頂盒�
  5. �(yī)療設(shè)備和汽車電子系統(tǒng)�
  由于其低功耗和高性能特點(diǎn),這款芯片非常適合用于對續(xù)航能力和散熱性能有較高要求的場景�

替代型號

K4B4G1646E-BCK0J, K4B4G1646E-BCK0H

k4b4g1646e-bck0推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)