K4B4G1646E-BCK0 是由三星(Samsung)生�(chǎn)的一� DDR3L SDRAM 芯片,主要用于需要低功耗內(nèi)存解決方案的�(yīng)用場�。該芯片支持 1.35V 的工作電�,具有高密度和高性能的特�(diǎn),適用于筆記本電�、平板電�、嵌入式系統(tǒng)和其他便攜式電子�(shè)備�
DDR3L � DDR3 的低電壓版本,能夠在保證性能的同�(shí)降低功耗,滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品對能效的嚴(yán)格要��
容量�4Gb (512MBx8)
類型:DDR3L SDRAM
工作電壓�1.35V
�(shù)�(jù)速率�1600Mbps
組織方式�512M x 8
封裝類型:BGA 78-ball
工作溫度�-40°C � +85°C
I/O �(biāo)�(zhǔn)�1.35V VTT
引腳間距�1.0mm
K4B4G1646E-BCK0 提供了出色的性能和低功耗表�(xiàn)。其主要特性包括:
1. 支持 DDR3L �(xié)議,兼容�(biāo)�(zhǔn) DDR3 �(nèi)存接��
2. 工作電壓� 1.35V,相比傳�(tǒng)� DDR3 �(nèi)存(1.5V)降低了功��
3. �(shù)�(jù)速率�(dá)� 1600Mbps,能夠滿足多種應(yīng)用場合對高速數(shù)�(jù)傳輸?shù)男枨�?br> 4. 高密度設(shè)�(jì),單顆芯片即可提� 4Gb 容量�
5. 封裝采用緊湊� BGA 78 球設(shè)�(jì),適合空間受限的�(yīng)用環(huán)��
6. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)各種�(yán)苛的工作�(huán)��
7. 具有突發(fā)長度� 8 和讀寫延遲可�(diào)的功�,可根據(jù)具體需求優(yōu)化性能�
K4B4G1646E-BCK0 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 筆記本電腦和超極��
2. 平板電腦和其他移動設(shè)備�
3. 嵌入式系�(tǒng),如工業(yè)控制、網(wǎng)�(luò)通信�(shè)備等�
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)�,例如智能電視和�(jī)頂盒�
5. �(yī)療設(shè)備和汽車電子系統(tǒng)�
由于其低功耗和高性能特點(diǎn),這款芯片非常適合用于對續(xù)航能力和散熱性能有較高要求的場景�
K4B4G1646E-BCK0J, K4B4G1646E-BCK0H