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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > K9F4G08UOE-SIBO

K9F4G08UOE-SIBO 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/16 19:02:14 查看 閱讀�21

K9F4G08UOE-SIBO 是三星(Samsung)生�(chǎn)的一� NAND Flash 存儲(chǔ)芯片,屬� 3.3V 供電的中小容量存�(chǔ)器件。該芯片采用 512Mbit 的存�(chǔ)密度,支持標(biāo)�(zhǔn)� NAND Flash 接口�(xié)�,廣泛應(yīng)用于嵌入式系�(tǒng)、數(shù)�(jù)記錄�(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中�
  該型�(hào)中的“K9”代� NAND Flash 系列,“F4G”表示其容量� 512Mbit,�08”表� I/O 寬度� 8 �,“UOE”是版本�(hào),而“SIBO”則表示封裝類型� TSOP(Thin Small Outline Package��

參數(shù)

容量�512Mbit
  電壓�3.3V
  I/O 寬度�8 �
  接口:NAND Flash �(biāo)�(zhǔn)接口
  封裝:TSOP
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  �(shù)�(jù)保存�(shí)間:10 年(典型值)
  擦寫壽命�100,000 次(典型值)

特�

K9F4G08UOE-SIBO 具備高性能和高可靠性的特點(diǎn),適用于�(duì)成本敏感但需要穩(wěn)定性能的應(yīng)用場(chǎng)��
  1. 高密度存�(chǔ)�?jiǎn)晤w芯片提供 512Mbit 的存�(chǔ)空間,能夠滿足當(dāng)�(shí)主流的小型化�(shè)備需��
  2. 快速讀寫速度:支持高�(dá) 20MB/s 的連續(xù)讀取速度� 10MB/s 的寫入速度,顯著提升系�(tǒng)性能�
  3. 低功耗設(shè)�(jì):在待機(jī)模式下電流消耗極�,非常適合電池供電的便攜式設(shè)備�
  4. �(wěn)定性:�(jīng)過嚴(yán)格測(cè)�,確保在極端�(huán)境下的正常運(yùn)��
  5. 小尺寸封裝:TSOP 封裝形式使得該芯片易于集成到緊湊型電路板��

�(yīng)�

K9F4G08UOE-SIBO 被廣泛應(yīng)用于各種需要非易失性存�(chǔ)器的�(chǎng)景中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. �(shù)碼相�(jī)和攝像機(jī):用于存�(chǔ)拍攝的照片和視頻�(shù)�(jù)�
  2. MP3 播放器和其他便攜式多媒體�(shè)備:提供本地存儲(chǔ)功能�
  3. 手機(jī)和通信�(shè)備:作為�(nèi)部存�(chǔ)或用戶數(shù)�(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)�
  4. 嵌入式控制器和工�(yè)�(shè)備:記錄�(guān)鍵日志信息或固件升級(jí)文件�
  5. 固態(tài)硬盤(SSD)原型設(shè)�(jì):早� SSD 開發(fā)中常用的基礎(chǔ)存儲(chǔ)單元�

替代型號(hào)

K9F1G08U0A, K9F2G08U0B, K9F4G08U0A

k9f4g08uoe-sibo推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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