時(shí)間：2025/4/30 20:05:14
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K9K8G08UOD-SIBO 是由三星（Samsung）生產(chǎn)的一款NAND閃存芯片，采用MLC（多層單元）技術(shù)。該芯片具有高密度存儲能力，適用于需要大容量數(shù)據(jù)存儲的應(yīng)用場景。其設(shè)計(jì)旨在提供可靠的性能和較低的功耗，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及嵌入式系統(tǒng)等領(lǐng)域。
這款芯片支持標(biāo)準(zhǔn)的ONFI（開放NAND閃存接口）協(xié)議，便于與其他系統(tǒng)的集成和使用。
容量：8GB
存儲類型：MLC NAND Flash
接口：ONFI 2.3
電壓：核心電壓1.8V ± 0.1V，I/O電壓2.7V ~ 3.6V
封裝：TSOP
工作溫度：-40°C ~ +85°C
頁大�。�8KB
塊大�。�512KB
傳輸速率：最高可達(dá)40MB/s
K9K8G08UOD-SIBO 芯片具有以下主要特性：
1. 高存儲密度：能夠提供8GB的存儲空間，適合大規(guī)模數(shù)據(jù)存儲需求。
2. 多層單元技術(shù)：使用MLC技術(shù)，可以在每個(gè)存儲單元中保存多位數(shù)據(jù)，從而提高存儲效率。
3. 可靠性：通過內(nèi)置錯(cuò)誤糾正碼（ECC）機(jī)制，確保數(shù)據(jù)存儲的可靠性。
4. 功耗優(yōu)化：在待機(jī)和活動(dòng)模式下均實(shí)現(xiàn)了低功耗設(shè)計(jì)，延長了電池供電設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。
5. 廣泛的工作溫度范圍：支持從-40°C到+85°C的工作溫度，適應(yīng)各種惡劣環(huán)境條件下的應(yīng)用。
6. 兼容性強(qiáng)：遵循ONFI 2.3標(biāo)準(zhǔn)接口協(xié)議，方便與現(xiàn)有系統(tǒng)的集成和擴(kuò)展。
K9K8G08UOD-SIBO 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 消費(fèi)電子產(chǎn)品：如平板電腦、智能手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等需要大容量存儲的設(shè)備。
2. 工業(yè)控制：例如數(shù)據(jù)記錄儀、監(jiān)控系統(tǒng)以及其他需要穩(wěn)定存儲功能的工業(yè)設(shè)備。
3. 嵌入式系統(tǒng)：如網(wǎng)絡(luò)路由器、交換機(jī)等需要內(nèi)置存儲器的通信設(shè)備。
4. 醫(yī)療設(shè)備：用于存儲患者數(shù)據(jù)或診斷信息的醫(yī)療儀器。
5. 汽車電子：包括導(dǎo)航系統(tǒng)、行車記錄儀等車載設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲。
K9K8G08UOB-SIBO, K9K8G08UOC-SIBO
