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K9K8G08UOD-SIBO 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/30 20:05:14 查看 閱讀:30

K9K8G08UOD-SIBO 是由三星(Samsung)生產(chǎn)的一款NAND閃存芯片,采用MLC(多層單元)技術(shù)。該芯片具有高密度存儲能力,適用于需要大容量數(shù)據(jù)存儲的應(yīng)用場景。其設(shè)計(jì)旨在提供可靠的性能和較低的功耗,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及嵌入式系統(tǒng)等領(lǐng)域。
  這款芯片支持標(biāo)準(zhǔn)的ONFI(開放NAND閃存接口)協(xié)議,便于與其他系統(tǒng)的集成和使用。

參數(shù)

容量:8GB
  存儲類型:MLC NAND Flash
  接口:ONFI 2.3
  電壓:核心電壓1.8V ± 0.1V,I/O電壓2.7V ~ 3.6V
  封裝:TSOP
  工作溫度:-40°C ~ +85°C
  頁大�。�8KB
  塊大�。�512KB
  傳輸速率:最高可達(dá)40MB/s

特性

K9K8G08UOD-SIBO 芯片具有以下主要特性:
  1. 高存儲密度:能夠提供8GB的存儲空間,適合大規(guī)模數(shù)據(jù)存儲需求。
  2. 多層單元技術(shù):使用MLC技術(shù),可以在每個(gè)存儲單元中保存多位數(shù)據(jù),從而提高存儲效率。
  3. 可靠性:通過內(nèi)置錯(cuò)誤糾正碼(ECC)機(jī)制,確保數(shù)據(jù)存儲的可靠性。
  4. 功耗優(yōu)化:在待機(jī)和活動(dòng)模式下均實(shí)現(xiàn)了低功耗設(shè)計(jì),延長了電池供電設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。
  5. 廣泛的工作溫度范圍:支持從-40°C到+85°C的工作溫度,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境條件下的應(yīng)用。
  6. 兼容性強(qiáng):遵循ONFI 2.3標(biāo)準(zhǔn)接口協(xié)議,方便與現(xiàn)有系統(tǒng)的集成和擴(kuò)展。

應(yīng)用

K9K8G08UOD-SIBO 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 消費(fèi)電子產(chǎn)品:如平板電腦、智能手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等需要大容量存儲的設(shè)備。
  2. 工業(yè)控制:例如數(shù)據(jù)記錄儀、監(jiān)控系統(tǒng)以及其他需要穩(wěn)定存儲功能的工業(yè)設(shè)備。
  3. 嵌入式系統(tǒng):如網(wǎng)絡(luò)路由器、交換機(jī)等需要內(nèi)置存儲器的通信設(shè)備。
  4. 醫(yī)療設(shè)備:用于存儲患者數(shù)據(jù)或診斷信息的醫(yī)療儀器。
  5. 汽車電子:包括導(dǎo)航系統(tǒng)、行車記錄儀等車載設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲。

替代型號

K9K8G08UOB-SIBO, K9K8G08UOC-SIBO

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