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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > K9K8G08UOD-SIBO

K9K8G08UOD-SIBO 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 20:05:14 查看 閱讀�30

K9K8G08UOD-SIBO 是由三星(Samsung)生�(chǎn)的一款NAND閃存芯片,采用MLC(多層單元)技�(shù)。該芯片具有高密度存儲能�,適用于需要大容量�(shù)�(jù)存儲的應(yīng)用場景。其�(shè)�(jì)旨在提供可靠的性能和較低的功�,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制以及嵌入式系�(tǒng)等領(lǐng)��
  這款芯片支持�(biāo)�(zhǔn)的ONFI(開放NAND閃存接口)協(xié)議,便于與其他系�(tǒng)的集成和使用�

參數(shù)

容量�8GB
  存儲類型:MLC NAND Flash
  接口:ONFI 2.3
  電壓:核心電�1.8V ± 0.1V,I/O電壓2.7V ~ 3.6V
  封裝:TSOP
  工作溫度�-40°C ~ +85°C
  頁大?�?KB
  塊大?�?12KB
  傳輸速率:最高可�(dá)40MB/s

特�

K9K8G08UOD-SIBO 芯片具有以下主要特性:
  1. 高存儲密度:能夠提供8GB的存儲空�,適合大�(guī)模數(shù)�(jù)存儲需��
  2. 多層單元技�(shù):使用MLC技�(shù),可以在每�(gè)存儲單元中保存多位數(shù)�(jù),從而提高存儲效��
  3. 可靠性:通過�(nèi)置錯(cuò)誤糾正碼(ECC)機(jī)�,確保數(shù)�(jù)存儲的可靠��
  4. 功耗優(yōu)化:在待�(jī)和活�(dòng)模式下均�(shí)�(xiàn)了低功耗設(shè)�(jì),延長了電池供電�(shè)備的�(xù)航時(shí)��
  5. 廣泛的工作溫度范圍:支持�-40°C�+85°C的工作溫度,適應(yīng)各種惡劣�(huán)境條件下的應(yīng)��
  6. 兼容性強(qiáng):遵循ONFI 2.3�(biāo)�(zhǔn)接口�(xié)議,方便與現(xiàn)有系�(tǒng)的集成和�(kuò)��

�(yīng)�

K9K8G08UOD-SIBO 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 消費(fèi)電子�(chǎn)品:如平板電�、智能手�(jī)、數(shù)碼相�(jī)等需要大容量存儲的設(shè)��
  2. 工業(yè)控制:例如數(shù)�(jù)記錄儀、監(jiān)控系�(tǒng)以及其他需要穩(wěn)定存儲功能的工業(yè)�(shè)��
  3. 嵌入式系�(tǒng):如�(wǎng)�(luò)路由器、交換機(jī)等需要內(nèi)置存儲器的通信�(shè)��
  4. �(yī)療設(shè)備:用于存儲患者數(shù)�(jù)或診斷信息的�(yī)療儀��
  5. 汽車電子:包括導(dǎo)航系�(tǒng)、行車記錄儀等車載設(shè)備的�(shù)�(jù)存儲�

替代型號

K9K8G08UOB-SIBO, K9K8G08UOC-SIBO

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