K9K8G08UOD-SIBO 是由三星(Samsung)生產(chǎn)的一款NAND閃存芯片,采用MLC(多層單元)技術(shù)。該芯片具有高密度存儲能力,適用于需要大容量數(shù)據(jù)存儲的應(yīng)用場景。其設(shè)計(jì)旨在提供可靠的性能和較低的功耗,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及嵌入式系統(tǒng)等領(lǐng)域。
這款芯片支持標(biāo)準(zhǔn)的ONFI(開放NAND閃存接口)協(xié)議,便于與其他系統(tǒng)的集成和使用。
容量:8GB
存儲類型:MLC NAND Flash
接口:ONFI 2.3
電壓:核心電壓1.8V ± 0.1V,I/O電壓2.7V ~ 3.6V
封裝:TSOP
工作溫度:-40°C ~ +85°C
頁大�。�8KB
塊大�。�512KB
傳輸速率:最高可達(dá)40MB/s
K9K8G08UOD-SIBO 芯片具有以下主要特性:
1. 高存儲密度:能夠提供8GB的存儲空間,適合大規(guī)模數(shù)據(jù)存儲需求。
2. 多層單元技術(shù):使用MLC技術(shù),可以在每個(gè)存儲單元中保存多位數(shù)據(jù),從而提高存儲效率。
3. 可靠性:通過內(nèi)置錯(cuò)誤糾正碼(ECC)機(jī)制,確保數(shù)據(jù)存儲的可靠性。
4. 功耗優(yōu)化:在待機(jī)和活動(dòng)模式下均實(shí)現(xiàn)了低功耗設(shè)計(jì),延長了電池供電設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。
5. 廣泛的工作溫度范圍:支持從-40°C到+85°C的工作溫度,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境條件下的應(yīng)用。
6. 兼容性強(qiáng):遵循ONFI 2.3標(biāo)準(zhǔn)接口協(xié)議,方便與現(xiàn)有系統(tǒng)的集成和擴(kuò)展。
K9K8G08UOD-SIBO 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 消費(fèi)電子產(chǎn)品:如平板電腦、智能手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等需要大容量存儲的設(shè)備。
2. 工業(yè)控制:例如數(shù)據(jù)記錄儀、監(jiān)控系統(tǒng)以及其他需要穩(wěn)定存儲功能的工業(yè)設(shè)備。
3. 嵌入式系統(tǒng):如網(wǎng)絡(luò)路由器、交換機(jī)等需要內(nèi)置存儲器的通信設(shè)備。
4. 醫(yī)療設(shè)備:用于存儲患者數(shù)據(jù)或診斷信息的醫(yī)療儀器。
5. 汽車電子:包括導(dǎo)航系統(tǒng)、行車記錄儀等車載設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲。
K9K8G08UOB-SIBO, K9K8G08UOC-SIBO