KTC3875S-O-RTK/P是一款由KTC推出的高性能N溝道增強型MOSFET功率晶體�。該器件采用了先進的半導(dǎo)體工藝制�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱穩(wěn)定性等特點,廣泛應(yīng)用于各種電源管理及功率轉(zhuǎn)換電路中�
其主要特點在于能夠提供高效的功率傳輸,并支持高頻開關(guān)操作,適用于需要高效率和低損耗的場景�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�18A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�49nC
開關(guān)時間:ton=9ns, toff=18ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
KTC3875S-O-RTK/P的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流承載能�,允許更大的負載電流通過�
3. 快速開�(guān)特性,適合高頻�(yīng)用場��
4. 強大的雪崩能量承受能力,增強了器件的可靠性�
5. 小型封裝�(shè)�,節(jié)省PCB空間同時具備良好的散熱性能�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
該MOSFET適用于多種電力電子領(lǐng)�,例如:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流器�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于提升轉(zhuǎn)換效率�
3. 電機�(qū)動電�,為電機提供精確的電流控��
4. 電池保護電路,防止過充過放�
5. 電信�(shè)備中的電源模�,確保穩(wěn)定供��
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理單元�
KTC3875S-O-RTK, IRFZ44N, FDP5570N