LBZT52C51T1G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,專為高�、高效能功率�(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)�。該器件采用先�(jìn)的封裝工�,能夠提供卓越的開關(guān)性能和高電流承載能力。其主要�(yīng)用于電源管理模塊、DC-DC �(zhuǎn)換器、無線充電設(shè)備以及各種需要高效能量傳�?shù)膱鼍�?br> 該型號在�(shè)計上�(jié)合了低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,從而顯著降低了功率損�,并提升了整體系�(tǒng)效率�
最大漏源電壓:100V
最大連續(xù)漏極電流�4A
�(dǎo)通電阻:50mΩ
柵極電荷�6nC
開關(guān)頻率范圍�1MHz � 10MHz
工作溫度范圍�-40� � +125�
1. 基于 GaN � HEMT 技�(shù)提供了更低的�(dǎo)通電阻和更高的開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
2. �(nèi)部集成保�(hù)電路以增�(qiáng)器件的穩(wěn)定性和可靠��
3. 封裝形式緊湊,適用于空間受限的設(shè)計環(huán)境�
4. 極低的寄生電感使� LBZT52C51T1G 在高頻條件下仍能保持�(yōu)異的性能�
5. 高效的能量轉(zhuǎn)換能力和低熱阻設(shè)�,有助于減少散熱需��
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. LED �(qū)動器
4. 快速充電解決方�
5. 無線充電�(fā)射端和接收端
6. 汽車電子中的輔助電源模塊
7. 工業(yè)自動化設(shè)備中的高效功率控制單�
LBG100R040KGA, GAN041-650WSA