LFD212G45DP3A151是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電機驅(qū)動和DC-DC�(zhuǎn)換器等電力電子應(yīng)�。該器件采用了先進的制造工�,具備低導通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度的特�,能夠顯著提升系�(tǒng)效率并降低功��
這款MOSFET屬于N溝道增強型場效應(yīng)晶體管,通過柵極電壓控制其導通與�(guān)斷狀�(tài)。在實際�(yīng)用中,它廣泛用于電流高達幾十安培且需要高頻開�(guān)的場��
類型:N溝道增強型MOSFET
漏源擊穿電壓�650V
連續(xù)漏極電流�18A
導通電阻(典型值)�150mΩ
柵極電荷�45nC
總電容(輸入電容):1500pF
工作溫度范圍�-55℃至+175�
1. 高擊穿電壓設(shè)計使其適用于高壓�(huán)�,例如工�(yè)電源和汽車電子領(lǐng)��
2. 極低的導通電阻確保了高效的功率傳�,同時減少了�(fā)熱問��
3. 快速開�(guān)性能允許其在高頻條件下運�,適合現(xiàn)代高效能開關(guān)電源的設(shè)計需��
4. 良好的熱�(wěn)定性和可靠性使得該器件能夠在惡劣的工作�(huán)境下保持長期�(wěn)定��
5. 小尺寸封裝有助于節(jié)省PCB空間,滿足便攜式�(shè)備對緊湊�(shè)計的要求�
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 電機�(qū)動與控制
3. DC-DC�(zhuǎn)換器
4. 電池管理模塊
5. 工業(yè)逆變器及UPS系統(tǒng)
6. 汽車電子中的負載切換
LFD212G45DP3A160, LFD212G45DP3A175, IRFZ44N, FQP17N60