LG1211-B0是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,能夠有效提升系統(tǒng)效率并降低功耗。
LG1211-B0通過(guò)優(yōu)化柵極電荷和閾值電壓設(shè)計(jì),在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,同時(shí)其封裝形式支持高散熱性能,適用于對(duì)可靠性要求較高的工業(yè)及消費(fèi)類電子產(chǎn)品。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:30A
導(dǎo)通電阻:4mΩ
柵極電荷:55nC
總電容:220pF
工作溫度范圍:-55℃至175℃
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì),減少功率損耗。
2. 快速開(kāi)關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用。
3. 高電流承載能力,滿足大功率需求。
4. 良好的熱穩(wěn)定性,確保在極端環(huán)境下的可靠性。
5. 小型化封裝,便于PCB布局和安裝。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛工藝。
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)管。
2. 直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的功率級(jí)元件。
3. 工業(yè)設(shè)備中的負(fù)載控制開(kāi)關(guān)。
4. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理模塊。
5. LED驅(qū)動(dòng)器和照明系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換部分。
IRFZ44N, FDP5800