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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > LMUN2113LT1G

LMUN2113LT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 16:17:01 查看 閱讀�23

LMUN2113LT1G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體管,� Texas Instruments 推出。該器件采用了增�(qiáng)� GaN FET 技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)性能,專(zhuān)為高�、高效能的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)�(jì)。其封裝形式� LLP8 封裝,有助于提升散熱性能并簡(jiǎn)� PCB 布局�
  該晶體管廣泛適用� DC-DC �(zhuǎn)換器、PFC(功率因�(shù)校正)電路以及其他需要高性能�(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

�(lèi)型:增強(qiáng)� GaN 功率晶體�
  封裝:LLP8
  漏源電壓(Vds):600V
  連續(xù)漏極電流(Id):15A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):130mΩ
  柵極電荷(Qg):45nC
  反向恢復(fù)�(shí)間(trr):<70ns
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

LMUN2113LT1G 提供了卓越的性能表現(xiàn),主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),僅� 130mΩ,從而降低了傳導(dǎo)損��
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,得益于低柵極電荷(Qg�,使其在高頻工作�(shí)具備更高效率�
  3. 高耐壓能力,Vds 高達(dá) 600V,適合多種高壓應(yīng)用場(chǎng)��
  4. 支持寬輸入電壓范圍的�(shè)�(jì)需�,特別適合工�(yè)和汽�(chē)�(jí)�(yīng)用�
  5. 出色的熱性能,能夠有效減少系�(tǒng)熱量積累,提高整體可靠��
  6. �(jiǎn)化的�(qū)�(dòng)要求,與傳統(tǒng)硅基 MOSFET 相比更容易集成到�(xiàn)有設(shè)�(jì)中�

�(yīng)�

LMUN2113LT1G 的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的主開(kāi)�(guān)��
  2. 圖騰� PFC(功率因�(shù)校正)電路中的高速開(kāi)�(guān)元件�
  3. 電動(dòng)汽車(chē)(EV)充電設(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換模��
  4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)控制中的逆變器或斬波器組件�
  5. 可再生能源發(fā)電系�(tǒng)中的光伏逆變器及�(chǔ)能轉(zhuǎn)換單��
  6. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器�(shè)�(jì),特別是針對(duì)筆記本電腦適配器或服�(wù)器電源等�(chǎn)��

替代型號(hào)

LMG3522R030,
  LMG3411R030,
  CSD1953KCS

lmun2113lt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)