LMUN2113LT1G 時(shí)間：2025/4/27 16:17:01 閱讀：23

LMUN2113LT1G 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高效率功率晶體管，由 Texas Instruments 推出。該器件采用了增強(qiáng)型 GaN FET 技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能，專(zhuān)為高頻、高效能的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其封裝形式為 LLP8 封裝，有助于提升散熱性能并簡(jiǎn)化 PCB 布局。
　　該晶體管廣泛適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、PFC（功率因數(shù)校正）電路以及其他需要高性能開(kāi)關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景。

參數(shù)

類(lèi)型：增強(qiáng)型 GaN 功率晶體管
　　封裝：LLP8
　　漏源電壓（Vds）：600V
　　連續(xù)漏極電流（Id）：15A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：130mΩ
　　柵極電荷（Qg）：45nC
　　反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：<70ns
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃

特性

LMUN2113LT1G 提供了卓越的性能表現(xiàn)，主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，僅為 130mΩ，從而降低了傳導(dǎo)損耗。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)能力，得益于低柵極電荷（Qg），使其在高頻工作時(shí)具備更高效率。
　　3. 高耐壓能力，Vds 高達(dá) 600V，適合多種高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
　　4. 支持寬輸入電壓范圍的設(shè)計(jì)需求，特別適合工業(yè)和汽車(chē)級(jí)應(yīng)用。
　　5. 出色的熱性能，能夠有效減少系統(tǒng)熱量積累，提高整體可靠性。
　　6. 簡(jiǎn)化的驅(qū)動(dòng)要求，與傳統(tǒng)硅基 MOSFET 相比更容易集成到現(xiàn)有設(shè)計(jì)中。

應(yīng)用

LMUN2113LT1G 的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）設(shè)計(jì)中的主開(kāi)關(guān)管。
　　2. 圖騰柱 PFC（功率因數(shù)校正）電路中的高速開(kāi)關(guān)元件。
　　3. 電動(dòng)汽車(chē)（EV）充電設(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換模塊。
　　4. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制中的逆變器或斬波器組件。
　　5. 可再生能源發(fā)電系統(tǒng)中的光伏逆變器及儲(chǔ)能轉(zhuǎn)換單元。
　　6. 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，特別是針對(duì)筆記本電腦適配器或服務(wù)器電源等產(chǎn)品。