LMUN2113LT1G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高效率功率晶體管,由 Texas Instruments 推出。該器件采用了增強(qiáng)型 GaN FET 技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能,專(zhuān)為高頻、高效能的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其封裝形式為 LLP8 封裝,有助于提升散熱性能并簡(jiǎn)化 PCB 布局。
該晶體管廣泛適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、PFC(功率因數(shù)校正)電路以及其他需要高性能開(kāi)關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景。
類(lèi)型:增強(qiáng)型 GaN 功率晶體管
封裝:LLP8
漏源電壓(Vds):600V
連續(xù)漏極電流(Id):15A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):130mΩ
柵極電荷(Qg):45nC
反向恢復(fù)時(shí)間(trr):<70ns
工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃
LMUN2113LT1G 提供了卓越的性能表現(xiàn),主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),僅為 130mΩ,從而降低了傳導(dǎo)損耗。
2. 快速開(kāi)關(guān)能力,得益于低柵極電荷(Qg),使其在高頻工作時(shí)具備更高效率。
3. 高耐壓能力,Vds 高達(dá) 600V,適合多種高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
4. 支持寬輸入電壓范圍的設(shè)計(jì)需求,特別適合工業(yè)和汽車(chē)級(jí)應(yīng)用。
5. 出色的熱性能,能夠有效減少系統(tǒng)熱量積累,提高整體可靠性。
6. 簡(jiǎn)化的驅(qū)動(dòng)要求,與傳統(tǒng)硅基 MOSFET 相比更容易集成到現(xiàn)有設(shè)計(jì)中。
LMUN2113LT1G 的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì)中的主開(kāi)關(guān)管。
2. 圖騰柱 PFC(功率因數(shù)校正)電路中的高速開(kāi)關(guān)元件。
3. 電動(dòng)汽車(chē)(EV)充電設(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換模塊。
4. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制中的逆變器或斬波器組件。
5. 可再生能源發(fā)電系統(tǒng)中的光伏逆變器及儲(chǔ)能轉(zhuǎn)換單元。
6. 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì),特別是針對(duì)筆記本電腦適配器或服務(wù)器電源等產(chǎn)品。
LMG3522R030,
LMG3411R030,
CSD1953KCS