LMUN2113LT1G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體管,� Texas Instruments 推出。該器件采用了增�(qiáng)� GaN FET 技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)性能,專(zhuān)為高�、高效能的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)�(jì)。其封裝形式� LLP8 封裝,有助于提升散熱性能并簡(jiǎn)� PCB 布局�
該晶體管廣泛適用� DC-DC �(zhuǎn)換器、PFC(功率因�(shù)校正)電路以及其他需要高性能�(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��
�(lèi)型:增強(qiáng)� GaN 功率晶體�
封裝:LLP8
漏源電壓(Vds):600V
連續(xù)漏極電流(Id):15A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):130mΩ
柵極電荷(Qg):45nC
反向恢復(fù)�(shí)間(trr):<70ns
工作溫度范圍�-55� � +150�
LMUN2113LT1G 提供了卓越的性能表現(xiàn),主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),僅� 130mΩ,從而降低了傳導(dǎo)損��
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,得益于低柵極電荷(Qg�,使其在高頻工作�(shí)具備更高效率�
3. 高耐壓能力,Vds 高達(dá) 600V,適合多種高壓應(yīng)用場(chǎng)��
4. 支持寬輸入電壓范圍的�(shè)�(jì)需�,特別適合工�(yè)和汽�(chē)�(jí)�(yīng)用�
5. 出色的熱性能,能夠有效減少系�(tǒng)熱量積累,提高整體可靠��
6. �(jiǎn)化的�(qū)�(dòng)要求,與傳統(tǒng)硅基 MOSFET 相比更容易集成到�(xiàn)有設(shè)�(jì)中�
LMUN2113LT1G 的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的主開(kāi)�(guān)��
2. 圖騰� PFC(功率因�(shù)校正)電路中的高速開(kāi)�(guān)元件�
3. 電動(dòng)汽車(chē)(EV)充電設(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換模��
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)控制中的逆變器或斬波器組件�
5. 可再生能源發(fā)電系�(tǒng)中的光伏逆變器及�(chǔ)能轉(zhuǎn)換單��
6. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器�(shè)�(jì),特別是針對(duì)筆記本電腦適配器或服�(wù)器電源等�(chǎn)��
LMG3522R030,
LMG3411R030,
CSD1953KCS