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LMUN5114DW1T1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 18:32:37 查看 閱讀�22

LMUN5114DW1T1G 是一款由德州儀器(TI)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用了先�(jìn)的制程工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適用于各種高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)動應(yīng)�。其封裝形式� DSON-8 封裝,具備良好的散熱性能�
  LMUN5114DW1T1G 的設(shè)計使其能夠在高頻條件下保持較低的功�,同時支持較高的電流承載能力,非常適合需要高性能功率管理的應(yīng)用場景�

參數(shù)

型號:LMUN5114DW1T1G
  類型:N 溝道增強(qiáng)� MOSFET
  封裝:DSON-8
  漏源極電�(Vds)�60V
  連續(xù)漏極電流(Id)�39A
  柵極-源極電壓(Vgs):�20V
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ(在 Vgs=10V 時)
  最大工作結(jié)溫:175°C
  功耗:17W

特�

LMUN5114DW1T1G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 可顯著降低傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)速度,適合高頻操作環(huán)境�
  3. 高雪崩擊穿能量能�,增�(qiáng)了器件的魯棒��
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
  5. 小型化的 DSON-8 封裝節(jié)省了 PCB 空間,同時具備優(yōu)異的熱性能�
  6. 能夠承受高達(dá) 175°C 的結(jié)�,適�(yīng)苛刻的工作條件�
  7. 提供出色� ESD 保護(hù)能力,確保長期可靠��

�(yīng)�

LMUN5114DW1T1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)動和控制電路�
  3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的�(fù)載切換�
  4. 電信和工�(yè)�(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換�
  5. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)�
  6. 各種消費類電子產(chǎn)品中的功率管理模��
  7. LED �(qū)動和汽車電子系統(tǒng)的功率級組件�

替代型號

LMUN5113DW1T1G, CSD18534KTT, IRFZ44N

lmun5114dw1t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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