LQP15MN12NG02D是一款超小型、低導通電阻的N溝道邏輯電平MOSFET,采用WSON6�2mmx2mm)封裝形式。該器件專為高效率和緊湊�(shè)計而優(yōu)�,適用于消費電子、通信�(shè)備及工業(yè)應用中的負載開關(guān)、同步整流和DC-DC�(zhuǎn)換電�。其低導通電阻特性可以顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:12V
連續(xù)漏極電流�3.9A
導通電阻(Rds(on)):1.7mΩ(典型�,Vgs=4.5V時)
柵極-源極電壓范圍�-1.5V�8V
總功耗:850mW
工作溫度范圍�-55℃至150�
封裝形式:WSON6�2mmx2mm�
LQP15MN12NG02D具有極低的導通電�,有助于減少導通損耗并提高功率�(zhuǎn)換效�。同�,該�(chǎn)品支持寬范圍的柵極驅(qū)動電�,非常適合用于邏輯電平驅(qū)動場景。此�,它的超小封裝尺寸能夠有效節(jié)省PCB空間,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對緊湊�(shè)計的需��
該器件還具備出色的熱性能,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定運�,并且符合RoHS�(huán)保標��
這款MOSFET主要應用于便攜式電子�(shè)備中的負載開�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器、電池管理電路以及電機驅(qū)動等場景。它特別適合需要高效功率傳輸和小型化設(shè)計的應用場合,例如智能手�、平板電腦、筆記本電腦適配器和可穿戴設(shè)備等�
LQP15MN12NQ02D