LQW18ANR18G00D是一款由羅姆(ROHM)半導體公司生產(chǎn)的功率MOSFET芯片,主要應用于高效率電源轉(zhuǎn)換場�。該器件采用先進的溝槽式MOSFET技�(shù)制造,具有極低的導通電阻和出色的開�(guān)性能�
此型號專為要求高電流、高效率以及小尺寸的應用而設(shè)�,廣泛適用于工業(yè)�(shè)�、通信�(shè)備及消費電子�(lǐng)域中的DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等電路�
類型:N-Channel MOSFET
電壓(Vdss)�18V
電流(Id)�134A
導通電�(Rds(on))�0.5mΩ
柵極電荷(Qg)�46nC
�(jié)溫范圍:-55� to 175�
封裝形式:LFPAK88-8
LQW18ANR18G00D擁有超低的導通電阻(僅為0.5mΩ�,這使得其在高電流應用中能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
同時,該器件具備較高的雪崩擊穿能�,增強了系統(tǒng)的可靠��
其優(yōu)化的開關(guān)特性可有效減少開關(guān)損�,并支持高頻工作,從而滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對小型化和高效化的需��
此外,該芯片還采用了LFPAK88-8封裝,這種封裝方式有助于提高散熱性能,適合高功率密度的設(shè)計需��
總體而言,LQW18ANR18G00D憑借其卓越的電氣特性和�(wěn)健的�(jié)�(gòu)�(shè)�,在各種高性能應用場合中表�(xiàn)出色�
該芯片主要應用于需要高效率和大電流處理能力的場景,例如�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整流元�
3. 工業(yè)用電機驅(qū)動電�
4. 電信基站的功率管理模�
5. 消費類電子產(chǎn)品中的電池充電管�
LQW18ANR18G00D特別適合那些追求極致能效比和空間利用率的應用場合�
LQW18ANR18E00D