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LR645N8-G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/30 14:05:30 查看 閱讀：42

LR645N8-G 是一款高性能的 N 溈道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），適用于需要高效開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場(chǎng)景。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造，具備優(yōu)良的電氣特性和穩(wěn)定性，適合工業(yè)、消費(fèi)電子以及汽車電子領(lǐng)域中的多種應(yīng)用。
　　LR645N8-G 的封裝形式通常為 TO-220 或 PDFN 封裝，這種封裝設(shè)計(jì)有助于提高散熱性能，并且便于安裝在各種電路板上。該型號(hào)的主要特點(diǎn)是其較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力，使其成為功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他功率管理應(yīng)用的理想選擇。

參數(shù)

最大漏源電壓：45V
　　最大柵源電壓：±20V
　　連續(xù)漏極電流：11A
　　導(dǎo)通電阻：5.3mΩ
　　總功耗：110W
　　工作溫度范圍：-55℃ to 150℃
　　封裝形式：TO-220

特性

LR645N8-G 的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（5.3mΩ 典型值），能夠有效減少功率損耗。
　　2. 高擊穿電壓（45V），保證了器件在高壓環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)速度，使得該 MOSFET 在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
　　4. 較高的雪崩耐量能力，增強(qiáng)了器件在異常情況下的保護(hù)性能。
　　5. 良好的熱穩(wěn)定性，支持長(zhǎng)時(shí)間高溫工作環(huán)境。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)，適合現(xiàn)代綠色電子產(chǎn)品需求。

應(yīng)用

LR645N8-G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的功率開(kāi)關(guān)元件。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的逆變器或斬波器電路。
　　3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換控制。
　　4. 汽車電子系統(tǒng)中的電池管理系統(tǒng)（BMS）和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
　　5. LED 照明驅(qū)動(dòng)電路中的電流調(diào)節(jié)元件。
　　6. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理模塊。

替代型號(hào)

IRF540N, STP11NM50K, FDP15N45A

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lr645n8-g產(chǎn)品

lr645n8-g參數(shù)

  • 制造商Supertex
  • 產(chǎn)品種類線性穩(wěn)壓器 - 標(biāo)準(zhǔn)
  • 輸出類型Fixed
  • 極性Positive
  • 輸出電壓10 V
  • 輸出電流0.03 A
  • 負(fù)載調(diào)節(jié)400 mV
  • 最大輸入電壓450 V
  • 線路調(diào)整率200 mV
  • 最大工作溫度+ 150 C
  • 安裝風(fēng)格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SOT-89 (TO-243AA)
  • Input Voltage MIN15 V
  • 最大功率耗散1600 mW
  • 最小工作溫度- 55 C
  • 輸出端數(shù)量1
  • 封裝Reel
  • PSRR / 脈動(dòng)抑制（典型值）60 dB
  • 工廠包裝數(shù)量2000