LR645N8-G 是一款高性能的 N 溈道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),適用于需要高效開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場(chǎng)景。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造,具備優(yōu)良的電氣特性和穩(wěn)定性,適合工業(yè)、消費(fèi)電子以及汽車電子領(lǐng)域中的多種應(yīng)用。
LR645N8-G 的封裝形式通常為 TO-220 或 PDFN 封裝,這種封裝設(shè)計(jì)有助于提高散熱性能,并且便于安裝在各種電路板上。該型號(hào)的主要特點(diǎn)是其較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力,使其成為功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他功率管理應(yīng)用的理想選擇。
最大漏源電壓:45V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:11A
導(dǎo)通電阻:5.3mΩ
總功耗:110W
工作溫度范圍:-55℃ to 150℃
封裝形式:TO-220
LR645N8-G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(5.3mΩ 典型值),能夠有效減少功率損耗。
2. 高擊穿電壓(45V),保證了器件在高壓環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
3. 快速開(kāi)關(guān)速度,使得該 MOSFET 在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
4. 較高的雪崩耐量能力,增強(qiáng)了器件在異常情況下的保護(hù)性能。
5. 良好的熱穩(wěn)定性,支持長(zhǎng)時(shí)間高溫工作環(huán)境。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì),適合現(xiàn)代綠色電子產(chǎn)品需求。
LR645N8-G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)關(guān)元件。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的逆變器或斬波器電路。
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換控制。
4. 汽車電子系統(tǒng)中的電池管理系統(tǒng)(BMS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
5. LED 照明驅(qū)動(dòng)電路中的電流調(diào)節(jié)元件。
6. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理模塊。
IRF540N, STP11NM50K, FDP15N45A