LSF0204RGYR 是一種基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),屬于高效功率開�(guān)器件。該型號采用表面貼裝封裝,具有低導通電阻和快速開�(guān)速度的特�,非常適合高頻開�(guān)應用和電源轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
該器件通常用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、功率因�(shù)校正 (PFC) 電路以及無線充電設備中,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和功率密度�
型號:LSF0204RGYR
類型:GaN HEMT
封裝:DFN8
最大漏源電壓(Vds):200V
最大柵源電壓(Vgs):±6V
連續(xù)漏極電流(Id):4A
導通電阻(Rds(on)):95mΩ(典型值,� Vgs=6V 時)
輸入電容(Ciss):360pF
反向恢復電荷(Qrr):無(零反向恢復電荷)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
LSF0204RGYR 的主要特性包括:
1. 高開�(guān)頻率支持,最高可� 5MHz,適合高頻應用�
2. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導損��
3. 采用 GaN 技�(shù),具備零反向恢復電荷特�,減少開�(guān)損耗�
4. 小型化的 DFN8 封裝,便于表面貼裝和高密度設計�
5. 支持寬工作溫度范�,適應各種嚴苛環(huán)境�
6. 具備高可靠�,通過多種電氣和熱應力測試�
LSF0204RGYR 廣泛應用于以下領域:
1. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器設計�
2. 功率因數(shù)校正 (PFC) 電路中的功率開關(guān)�
3. 快速充電適配器和無線充電設備的核心功率元件�
4. 消費類電子產(chǎn)品的電源管理系統(tǒng)�
5. 電信和工�(yè)應用中的高頻開關(guān)電源�
6. 太陽能微型逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模��
LSF0204RGCYR
LSF0204RGMYR