時(shí)間：2025/5/26 21:45:50
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M058LBN是一款高性能的N溝道MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和高可靠性等特性。
通過優(yōu)化的設(shè)計(jì)，M058LBN能夠在高頻應(yīng)用中提供高效的性能表現(xiàn)，同時(shí)具有良好的熱穩(wěn)定性和抗浪涌能力。
型號：M058LBN
類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
漏源極擊穿電壓(Vds)：60V
柵源極擊穿電壓(Vgs)：±20V
最大漏極電流(Id)：14A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：5.5mΩ @ Vgs=10V
柵極電荷(Qg)：38nC
輸入電容(Ciss)：1900pF
輸出電容(Coss)：270pF
反向傳輸電容(Crss)：68pF
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
M058LBN具有以下主要特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))，能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗，提升效率。
2. 高速開關(guān)性能，適合高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
3. 強(qiáng)大的雪崩能力和魯棒性，確保在惡劣條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 小尺寸封裝，有助于節(jié)省PCB空間。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保設(shè)計(jì)。
6. 優(yōu)異的熱性能，支持高功率密度設(shè)計(jì)。
7. 支持寬范圍的工作溫度，適應(yīng)各種環(huán)境條件。
M058LBN適用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流器。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級開關(guān)。
4. 負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
5. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制元件。
7. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換組件。
M058LBK, M058LBP, M058LBR
