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M058LBN 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/26 21:45:50 查看 閱讀:18

M058LBN是一款高性能的N溝道MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和高可靠性等特性。
  通過優(yōu)化的設(shè)計(jì),M058LBN能夠在高頻應(yīng)用中提供高效的性能表現(xiàn),同時(shí)具有良好的熱穩(wěn)定性和抗浪涌能力。

參數(shù)

型號:M058LBN
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  漏源極擊穿電壓(Vds):60V
  柵源極擊穿電壓(Vgs):±20V
  最大漏極電流(Id):14A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):5.5mΩ @ Vgs=10V
  柵極電荷(Qg):38nC
  輸入電容(Ciss):1900pF
  輸出電容(Coss):270pF
  反向傳輸電容(Crss):68pF
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C

特性

M058LBN具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗,提升效率。
  2. 高速開關(guān)性能,適合高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
  3. 強(qiáng)大的雪崩能力和魯棒性,確保在惡劣條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
  4. 小尺寸封裝,有助于節(jié)省PCB空間。
  5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保設(shè)計(jì)。
  6. 優(yōu)異的熱性能,支持高功率密度設(shè)計(jì)。
  7. 支持寬范圍的工作溫度,適應(yīng)各種環(huán)境條件。

應(yīng)用

M058LBN適用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流器。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級開關(guān)。
  4. 負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
  5. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制元件。
  7. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換組件。

替代型號

M058LBK, M058LBP, M058LBR

m058lbn推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

m058lbn參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝250
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭嵌入式 - 微控制器,
  • 系列NuMicro M051™ BN
  • 核心處理器ARM? Cortex?-M0
  • 芯體尺寸32-位
  • 速度50MHz
  • 連通性EBI/EMI,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART
  • 外圍設(shè)備欠壓檢測/復(fù)位,POR,PWM,WDT
  • 輸入/輸出數(shù)40
  • 程序存儲(chǔ)器容量32KB(32K x 8)
  • 程序存儲(chǔ)器類型閃存
  • EEPROM 大小-
  • RAM 容量4K x 8
  • 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)2.5 V ~ 5.5 V
  • 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器A/D 8x12b
  • 振蕩器型內(nèi)部
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 封裝/外殼48-LQFP
  • 包裝托盤