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M12L2561616A-6BG2S 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/7 22:07:34 查看 閱讀:23

M12L2561616A-6BG2S 是一款由 Micron(美光)生產(chǎn)的 DDR3L SDRAM 內(nèi)存芯片。該芯片主要面向移動(dòng)設(shè)備、嵌入式系統(tǒng)和其他低功耗應(yīng)用,具有較低的工作電壓和高數(shù)據(jù)傳輸速率的特點(diǎn)。
  DDR3L 是 DDR3 的低電壓版本,工作電壓為 1.35V,相比標(biāo)準(zhǔn) DDR3 的 1.5V 更節(jié)能,適合對(duì)功耗敏感的應(yīng)用場(chǎng)景。

參數(shù)

容量:2Gb (256Mb x 8)
  位寬:x8
  工作電壓:1.35V ± 0.05V
  數(shù)據(jù)速率:800 MT/s (PC3-6400L)
  I/O 引腳:LVDS
  封裝類型:FBGA 78-ball
  工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
  引腳間距:1.0mm

特性

M12L2561616A-6BG2S 芯片支持 DDR3L 的所有標(biāo)準(zhǔn)功能,包括 CAS 延遲可編程性、ODT(片上終端電阻)、自動(dòng)刷新和自刷新模式等。
  其采用 FBGA 封裝形式,體積小巧,非常適合空間受限的移動(dòng)設(shè)備。
  這款芯片還支持 ECC(錯(cuò)誤檢查與糾正)功能,提高了數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃浴?br>  此外,它具備較低的功耗和較高的數(shù)據(jù)帶寬,非常適合需要高性能和低功耗的嵌入式系統(tǒng)和便攜式電子設(shè)備。
  該芯片符合 JEDEC DDR3L 標(biāo)準(zhǔn),確保與其他 DDR3L 設(shè)備的兼容性。

應(yīng)用

M12L2561616A-6BG2S 廣泛應(yīng)用于各種對(duì)性能和功耗要求較高的場(chǎng)合。
  常見(jiàn)應(yīng)用領(lǐng)域包括:
  1. 智能手機(jī)和平板電腦中的主內(nèi)存模塊。
  2. 工業(yè)級(jí)嵌入式設(shè)備,如 PLC 和 HMI 系統(tǒng)。
  3. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備,例如路由器和交換機(jī)。
  4. 醫(yī)療設(shè)備,如超聲波設(shè)備和監(jiān)護(hù)儀。
  5. 數(shù)字標(biāo)牌和多媒體播放器。
  6. 汽車電子系統(tǒng),例如信息娛樂(lè)系統(tǒng)和導(dǎo)航設(shè)備。

替代型號(hào)

MT12L256M16EW-093:B, K4B2G164QD-BJEG

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