時間：2025/3/25 11:54:03
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M4T28-BR12SH1 是一款基于 NAND 構(gòu)架的閃存芯片，廣泛應用于需要高密度存儲和快速數(shù)據(jù)訪問的設(shè)備中。該型號屬于大容量存儲系列，具有低功耗、高性能的特點，適用于嵌入式系統(tǒng)、消費類電子產(chǎn)品以及工業(yè)級應用。其封裝形式為標準 BGA，能夠提供出色的可靠性和穩(wěn)定性。
類型：NAND Flash
容量：256Gb (32GB)
接口：Toggle Mode 2.0
工作電壓：1.8V
封裝：BGA 169 球
數(shù)據(jù)傳輸速率：最高 400MB/s
擦寫壽命：3000 次（典型值）
工作溫度范圍：-25°C 至 +85°C
M4T28-BR12SH1 提供了卓越的性能表現(xiàn)和 2.0 接口技術(shù)，使得數(shù)據(jù)傳輸速度顯著提升，特別適合需要頻繁讀寫的應用場景。
該芯片具備強大的 ECC（錯誤校正碼）功能，能夠有效降低數(shù)據(jù)丟失的風險，同時支持 ONFI（開放 NAND 閃存接口）規(guī)范，確保與各種主控芯片的良好兼容性。
此外，M4T28-BR12SH1 的低功耗設(shè)計使其非常適合對電池續(xù)航能力要求較高的便攜式設(shè)備，例如智能手機、平板電腦和可穿戴設(shè)備。
1. 智能手機和平板電腦中的內(nèi)部存儲模塊
2. 工業(yè)控制系統(tǒng)的固態(tài)存儲解決方案
3. 可穿戴設(shè)備的數(shù)據(jù)記錄單元
4. 數(shù)字相機和攝像機的圖像存儲介質(zhì)
5. 嵌入式系統(tǒng)的引導和操作系統(tǒng)存儲區(qū)域
M4T28-BR12SH2, M4T28-BR12SH3, M4T28-BR12SH4
