5M1270ZT144I5N 是一款由三星(Samsung)生產(chǎn)的 NAND 閃存芯片,屬于 3D V-NAND 系列。該型號采用先進的 TLC(Triple-Level Cell)技術,具有高密度存儲和低功耗的特點,廣泛應用于固態(tài)硬盤(SSD)、嵌入式存儲設備以及移動設備等領域。
這款芯片基于三星的 64 層或更高層數(shù)的 3D V-NAND 技術制造,相比傳統(tǒng)的平面 NAND 閃存,其在性能、可靠性和成本方面都有顯著提升。
容量:128GB
接口類型:Toggle DDR 3.0
工作電壓:1.8V
數(shù)據(jù)傳輸速率:533 MT/s
封裝形式:BGA
I/O 引腳數(shù):144
工藝制程:3D V-NAND (64層)
存儲單元類型:TLC
5M1270ZT144I5N 的主要特性包括:
1. 高密度存儲能力:單顆芯片即可提供 128GB 的存儲容量,適合大容量存儲需求的應用場景。
2. 高速數(shù)據(jù)傳輸:支持 Toggle DDR 3.0 接口協(xié)議,最高數(shù)據(jù)傳輸速率可達 533 MT/s,確保快速的數(shù)據(jù)讀寫性能。
3. 節(jié)能設計:采用低功耗架構,減少設備的整體能耗,特別適用于對功耗敏感的移動設備。
4. 可靠性與耐用性:得益于 3D V-NAND 技術,該芯片具備更高的擦寫壽命和數(shù)據(jù)保持能力。
5. 小型化封裝:使用 BGA 封裝形式,節(jié)省 PCB 空間,便于在緊湊型設備中集成。
5M1270ZT144I5N 廣泛應用于以下領域:
1. 固態(tài)硬盤(SSD):作為 SSD 的核心存儲組件,提供大容量和高性能的存儲解決方案。
2. 嵌入式存儲:用于嵌入式系統(tǒng)中的 eMMC 或 UFS 存儲模塊,滿足工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)設備等需求。
3. 移動設備:為智能手機、平板電腦等便攜式電子設備提供可靠的存儲支持。
4. 數(shù)據(jù)中心與服務器:在企業(yè)級存儲系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用,支持高吞吐量和低延遲的數(shù)據(jù)訪問需求。
K9GMG0U1M, THGAMRDUDDC