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5M1270ZT144I5N 發(fā)布時間 時間:2025/4/30 17:47:57 查看 閱讀:25

5M1270ZT144I5N 是一款由三星(Samsung)生產(chǎn)的 NAND 閃存芯片,屬于 3D V-NAND 系列。該型號采用先進的 TLC(Triple-Level Cell)技術,具有高密度存儲和低功耗的特點,廣泛應用于固態(tài)硬盤(SSD)、嵌入式存儲設備以及移動設備等領域。
  這款芯片基于三星的 64 層或更高層數(shù)的 3D V-NAND 技術制造,相比傳統(tǒng)的平面 NAND 閃存,其在性能、可靠性和成本方面都有顯著提升。

參數(shù)

容量:128GB
  接口類型:Toggle DDR 3.0
  工作電壓:1.8V
  數(shù)據(jù)傳輸速率:533 MT/s
  封裝形式:BGA
  I/O 引腳數(shù):144
  工藝制程:3D V-NAND (64層)
  存儲單元類型:TLC

特性

5M1270ZT144I5N 的主要特性包括:
  1. 高密度存儲能力:單顆芯片即可提供 128GB 的存儲容量,適合大容量存儲需求的應用場景。
  2. 高速數(shù)據(jù)傳輸:支持 Toggle DDR 3.0 接口協(xié)議,最高數(shù)據(jù)傳輸速率可達 533 MT/s,確保快速的數(shù)據(jù)讀寫性能。
  3. 節(jié)能設計:采用低功耗架構,減少設備的整體能耗,特別適用于對功耗敏感的移動設備。
  4. 可靠性與耐用性:得益于 3D V-NAND 技術,該芯片具備更高的擦寫壽命和數(shù)據(jù)保持能力。
  5. 小型化封裝:使用 BGA 封裝形式,節(jié)省 PCB 空間,便于在緊湊型設備中集成。

應用

5M1270ZT144I5N 廣泛應用于以下領域:
  1. 固態(tài)硬盤(SSD):作為 SSD 的核心存儲組件,提供大容量和高性能的存儲解決方案。
  2. 嵌入式存儲:用于嵌入式系統(tǒng)中的 eMMC 或 UFS 存儲模塊,滿足工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)設備等需求。
  3. 移動設備:為智能手機、平板電腦等便攜式電子設備提供可靠的存儲支持。
  4. 數(shù)據(jù)中心與服務器:在企業(yè)級存儲系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用,支持高吞吐量和低延遲的數(shù)據(jù)訪問需求。

替代型號

K9GMG0U1M, THGAMRDUDDC

5m1270zt144i5n推薦供應商 更多>

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  • 詢價

5m1270zt144i5n參數(shù)

  • 產(chǎn)品培訓模塊Max V Overview
  • 特色產(chǎn)品MAX? V CPLDs
  • 標準包裝60
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭嵌入式 - CPLD(復雜可編程邏輯器件)
  • 系列MAX® V
  • 可編程類型系統(tǒng)內(nèi)可編程
  • 最大延遲時間 tpd(1)6.2ns
  • 電壓電源 - 內(nèi)部1.71 V ~ 1.89 V
  • 邏輯元件/邏輯塊數(shù)目1270
  • 宏單元數(shù)980
  • 門數(shù)-
  • 輸入/輸出數(shù)114
  • 工作溫度-40°C ~ 100°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼144-LQFP
  • 供應商設備封裝144-TQFP(20x20)
  • 包裝托盤