時間：2025/4/30 17:47:57
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5M1270ZT144I5N 是一款由三星（Samsung）生產(chǎn)的 NAND 閃存芯片，屬于 3D V-NAND 系列。該型號采用先進的 TLC（Triple-Level Cell）技術，具有高密度存儲和低功耗的特點，廣泛應用于固態(tài)硬盤（SSD）、嵌入式存儲設備以及移動設備等領域。
這款芯片基于三星的 64 層或更高層數(shù)的 3D V-NAND 技術制造，相比傳統(tǒng)的平面 NAND 閃存，其在性能、可靠性和成本方面都有顯著提升。
容量：128GB
接口類型：Toggle DDR 3.0
工作電壓：1.8V
數(shù)據(jù)傳輸速率：533 MT/s
封裝形式：BGA
I/O 引腳數(shù)：144
工藝制程：3D V-NAND (64層)
存儲單元類型：TLC
5M1270ZT144I5N 的主要特性包括：
1. 高密度存儲能力：單顆芯片即可提供 128GB 的存儲容量，適合大容量存儲需求的應用場景。
2. 高速數(shù)據(jù)傳輸：支持 Toggle DDR 3.0 接口協(xié)議，最高數(shù)據(jù)傳輸速率可達 533 MT/s，確保快速的數(shù)據(jù)讀寫性能。
3. 節(jié)能設計：采用低功耗架構，減少設備的整體能耗，特別適用于對功耗敏感的移動設備。
4. 可靠性與耐用性：得益于 3D V-NAND 技術，該芯片具備更高的擦寫壽命和數(shù)據(jù)保持能力。
5. 小型化封裝：使用 BGA 封裝形式，節(jié)省 PCB 空間，便于在緊湊型設備中集成。
5M1270ZT144I5N 廣泛應用于以下領域：
1. 固態(tài)硬盤（SSD）：作為 SSD 的核心存儲組件，提供大容量和高性能的存儲解決方案。
2. 嵌入式存儲：用于嵌入式系統(tǒng)中的 eMMC 或 UFS 存儲模塊，滿足工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)設備等需求。
3. 移動設備：為智能手機、平板電腦等便攜式電子設備提供可靠的存儲支持。
4. 數(shù)據(jù)中心與服務器：在企業(yè)級存儲系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用，支持高吞吐量和低延遲的數(shù)據(jù)訪問需求。
K9GMG0U1M, THGAMRDUDDC
