5M1270ZT144I5N 是一款由三星(Samsung)生�(chǎn)� NAND 閃存芯片,屬� 3D V-NAND 系列。該型號采用先進的 TLC(Triple-Level Cell)技�,具有高密度存儲和低功耗的特點,廣泛應用于固態(tài)硬盤(SSD�、嵌入式存儲設備以及移動設備等領域�
這款芯片基于三星� 64 層或更高層數(shù)� 3D V-NAND 技術制�,相比傳�(tǒng)的平� NAND 閃存,其在性能、可靠性和成本方面都有顯著提升�
容量�128GB
接口類型:Toggle DDR 3.0
工作電壓�1.8V
�(shù)�(jù)傳輸速率�533 MT/s
封裝形式:BGA
I/O 引腳�(shù)�144
工藝制程�3D V-NAND (64�)
存儲單元類型:TLC
5M1270ZT144I5N 的主要特性包括:
1. 高密度存儲能力:單顆芯片即可提供 128GB 的存儲容量,適合大容量存儲需求的應用場景�
2. 高速數(shù)�(jù)傳輸:支� Toggle DDR 3.0 接口�(xié)�,最高數(shù)�(jù)傳輸速率可達 533 MT/s,確保快速的�(shù)�(jù)讀寫性能�
3. 節(jié)能設計:采用低功耗架�,減少設備的整體能�,特別適用于對功耗敏感的移動設備�
4. 可靠性與耐用性:得益� 3D V-NAND 技�,該芯片具備更高的擦寫壽命和�(shù)�(jù)保持能力�
5. 小型化封裝:使用 BGA 封裝形式,節(jié)� PCB 空間,便于在緊湊型設備中集成�
5M1270ZT144I5N 廣泛應用于以下領域:
1. 固態(tài)硬盤(SSD):作為 SSD 的核心存儲組�,提供大容量和高性能的存儲解決方��
2. 嵌入式存儲:用于嵌入式系�(tǒng)中的 eMMC � UFS 存儲模塊,滿足工�(yè)控制、物�(lián)�(wǎng)設備等需��
3. 移動設備:為智能手機、平板電腦等便攜式電子設備提供可靠的存儲支持�
4. �(shù)�(jù)中心與服務器:在企業(yè)級存儲系�(tǒng)中發(fā)揮重要作�,支持高吞吐量和低延遲的�(shù)�(jù)訪問需��
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