時間：2025/5/22 0:35:15
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MAR9132BPD013TR 是一款高性能的 N 溈道 MOSFET 功率晶體管，采用 TO-263 封裝形式。該器件廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等需要高效功率控制的場景中。
這款 MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓的特點，能夠在高頻條件下保持高效的性能表現(xiàn)，同時其緊湊的封裝設(shè)計使其非常適合空間受限的應(yīng)用環(huán)境。
型號：MAR9132BPD013TR
類型：N-MOSFET
封裝：TO-263
最大漏源電壓（Vds）：60V
最大柵源電壓（Vgs）：±20V
連續(xù)漏極電流（Id）：85A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：2.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 時）
總功耗（Ptot）：140W
工作溫度范圍（Tj）：-55℃ 至 +175℃
柵極電荷（Qg）：45nC（典型值）
MAR9132BPD013TR 的主要特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），在 10V 柵極驅(qū)動下僅為 2.5mΩ，有助于降低傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 高電流承載能力，支持高達 85A 的連續(xù)漏極電流，適用于大功率應(yīng)用。
3. 快速開關(guān)速度，得益于其較低的柵極電荷（Qg），能夠減少開關(guān)損耗并提升高頻性能。
4. 較高的擊穿電壓（60V），保證了器件在各種復(fù)雜電路中的可靠性。
5. 寬廣的工作溫度范圍（-55℃ 至 +175℃），使其適應(yīng)極端環(huán)境下的穩(wěn)定運行需求。
6. 緊湊的 TO-263 封裝，適合于需要節(jié)省 PCB 空間的場合。
MAR9132BPD013TR 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的功率轉(zhuǎn)換與控制。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器，特別是在汽車電子和工業(yè)自動化設(shè)備中。
3. 電機驅(qū)動電路，如步進電機、無刷直流電機等。
4. 工業(yè)逆變器及 UPS 系統(tǒng)中的功率管理模塊。
5. 各種負載切換和保護電路，例如電池管理系統(tǒng)（BMS）。
IRFZ44N, FQP50N06L, STP85NF06
