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MAZ8150GML 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 10:17:58 查看 閱讀�23

MAZ8150GML 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的高效率功率開關(guān)晶體�,專為高頻、高功率密度�(yīng)用設(shè)計。它采用先進的封裝技�(shù)以實�(xiàn)低寄生電感和高散熱性能。該器件適用� DC-DC �(zhuǎn)換器、圖騰柱 PFC 和其他需要快速開�(guān)速度的電源系�(tǒng)�
  MAZ8150GML 的設(shè)計使其能夠在高壓條件下提供卓越的效率表現(xiàn),并具備極低的導通電�,從而減少功率損耗�

參數(shù)

額定電壓�650V
  額定電流�150A
  導通電阻:3.5mΩ
  最大漏源電壓:700V
  最大柵源電壓:+6V/-4V
  �(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  反向恢復(fù)時間:無(由于是 GaN 技�(shù)�
  開關(guān)頻率范圍:高� 2MHz

特�

MAZ8150GML 具備出色的高頻開�(guān)能力,同時保持較低的導通損耗和開關(guān)損�。其主要特性包括:
  1. 高效的氮化鎵 (GaN) 半導體材料,確保更快的開�(guān)速度和更低的能量損失�
  2. �(nèi)� ESD 保護功能以提高可靠��
  3. 封裝形式�(yōu)化了熱管理與電氣性能,使器件在高功率�(yīng)用場景中表現(xiàn)出色�
  4. 極低的輸入和輸出電容,有助于進一步降低開�(guān)損��
  5. 不受傳統(tǒng)硅基 MOSFET 反向恢復(fù)時間限制的影�,適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
  6. 工作溫度范圍寬廣,能夠適�(yīng)惡劣的工作條��
  這些特點使得 MAZ8150GML 成為下一代高效電源轉(zhuǎn)換的理想選擇�

�(yīng)�

MAZ8150GML 廣泛�(yīng)用于各種高性能電力電子�(shè)�,具體應(yīng)用領(lǐng)域包括:
  1. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電源中的高� DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 圖騰柱無� PFC 拓撲�(jié)�(gòu)以提升功率因�(shù)校正效率�
  3. 快速充電適配器,如 USB-PD 充電器等�
  4. 新能源汽車中的車載充電器 (OBC) � DC/DC �(zhuǎn)換器�
  5. 工業(yè)� SMPS(開�(guān)模式電源)解決方��
  6. 無線充電�(fā)射端模塊�
  7. 光伏逆變器及儲能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換部��
  由于其卓越的性能和高頻特性,MAZ8150GML 在現(xiàn)代電力電子技�(shù)中扮演著越來越重要的角色�

替代型號

MAZ8150GMSL, GANE150R035A65

maz8150gml推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

maz8150gml參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表MAZ8150GML View all Specifications
  • 標準包裝1
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭單二極管/齊納
  • 系列-
  • 電壓 - 齊納(標稱)(Vz)15V
  • 電壓 - � If 時為正向 (Vf)(最大)1V @ 10mA
  • 電流 - � Vr 時反向漏�50nA @ 11V
  • 容差±6%
  • 功率 - 最�150mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)40 歐姆
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-90,SOD-323F
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�S迷你�2-F3
  • 包裝Digi-Reel®
  • 工作溫度-
  • 其它名稱MAZ8150GMLDKR