MB15E03SLPV1G 是一款由羅姆(ROHM)半導(dǎo)體生產(chǎn)的高效能、低導(dǎo)通電阻的 N 灃道 MOSFET。該芯片主要應(yīng)用于需要高效率和低損耗的場(chǎng)景,例如開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及電池管理等系統(tǒng)。
這款 MOSFET 的封裝形式為超小型的 USPQ-4F 封裝,具有出色的散熱性能和節(jié)省空間的設(shè)計(jì)特點(diǎn),非常適合在便攜式設(shè)備和緊湊型電路中使用。
型號(hào):MB15E03SLPV1G
類(lèi)型:N 浜道 MOSFET
Vds(漏源極電壓):30V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻):1.7mΩ(典型值,在 Vgs=10V 時(shí))
Id(持續(xù)漏極電流):20A
功耗:1W
封裝:USPQ-4F
工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃
MB15E03SLPV1G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),可以有效減少功率損耗并提升整體系統(tǒng)的效率。
2. 高電流處理能力,使其能夠滿(mǎn)足大功率應(yīng)用需求。
3. 小型化的 USPQ-4F 封裝設(shè)計(jì),能夠在有限的空間內(nèi)提供高性能表現(xiàn)。
4. 支持寬廣的工作溫度范圍,適用于惡劣環(huán)境下的工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用。
5. 出色的熱穩(wěn)定性,確保在高負(fù)載條件下長(zhǎng)期可靠運(yùn)行。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全。
MB15E03SLPV1G 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS),用于實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器,特別是在筆記本電腦、平板電腦和智能手機(jī)等便攜式設(shè)備中的電源管理。
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS),用于電動(dòng)汽車(chē)和儲(chǔ)能設(shè)備中的電池保護(hù)和控制。
4. 負(fù)載開(kāi)關(guān),用于快速切換不同電路模塊的供電狀態(tài)。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和信號(hào)隔離。
6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的電源管理和信號(hào)處理。
MB15E03SLPV1G 可以被以下型號(hào)替代:
IRLZ44N
FDS6680
AO3400
SI4449DY