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ZXMD63P02XTA 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/8/14 15:56:39 查看 閱讀�267

�(chǎn)品種類:MOSFET小信�(hào)

目錄

概述

制造商:DiodesInc.
�(chǎn)品種類:MOSFET小信�(hào)
RoHS:是
配置:DualDualDrain
晶體管極性:P-Channel
電阻汲極/源極RDS(導(dǎo)通)�0.27Ohms
汲極/源極擊穿電壓�-20V
�/源擊穿電壓:+/-12V
漏極連續(xù)電流�-1.7A
功率耗散�0.87W
最大工作溫度:+150C
安裝�(fēng)格:SMD/SMT
封裝/箱體:MSOP-8
封裝:Reel
最小工作溫度:-55C
StandardPackQty�1000

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  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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zxmd63p02xta參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 �(gè) P 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C-
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C270 毫歐 @ 1.2A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs5.25nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds290pF @ 15V
  • 功率 - 最�870mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-TSSOP�8-MSOP�0.118"�3.00mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-MSOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱ZXMD63P02XTRZXMD63P02XTR-ND