MB85RS16PNF-G-JNERE1 是一款基� FRAM(鐵電隨�(jī)存取存儲器)技�(shù)的非易失性存儲器芯片。FRAM 技�(shù)�(jié)合了 RAM 的高速讀寫特性和非易失性存儲的特點(diǎn),使其在斷電后仍能保存數(shù)�(jù)。該芯片由富士通半�(dǎo)體生�(chǎn),適用于需要頻繁寫入和快速響�(yīng)的應(yīng)用場��
MB85RS16PNF 系列支持 I2C 接口,工作電壓范圍為 1.8V � 3.6V,具有低功耗和高耐用性的特點(diǎn)。其存儲容量� 16Kb�2048 字節(jié)),采用 SOP-8 封裝形式�
存儲容量�16Kb (2048 字節(jié))
接口類型:I2C
工作電壓�1.8V � 3.6V
工作電流:最� 3mA(典型� 1mA�
待機(jī)電流:最� 1μA
存儲 endurance:超� 10^12 次寫�/擦除周期
�(shù)�(jù)保持時間�10 年(在最� 85°C 條件下)
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝形式:SOP-8
1. 高速寫入與非易失性:
MB85RS16PNF 支持無需等待時間的即時寫入操�,并且即使在斷電情況下也能保存數(shù)�(jù)�
2. 超長壽命�
由于 FRAM 技�(shù)的本�(zhì),該芯片可以承受超過 10^12 次寫�/擦除周期,非常適合高頻數(shù)�(jù)記錄場景�
3. 低功耗:
相比傳統(tǒng)� EEPROM 和閃�,MB85RS16PNF 在寫入操作時的功耗顯著降��
4. 快速恢�(fù)能力�
芯片在上電后能夠迅速�(jìn)入工作狀�(tài),延遲時間極��
5. 簡化的系�(tǒng)�(shè)計:
由于無需像閃存一樣�(jìn)行頁面管理或錯誤校正碼處理,因此使用 MB85RS16PNF 可以簡化系統(tǒng)�(shè)計并減少整體 BOM 成本�
1. 工業(yè)自動化:
用于�(shí)時數(shù)�(jù)記錄、配置存儲以及關(guān)鍵狀�(tài)信息保存�
2. �(yī)療設(shè)備:
如便攜式健康�(jiān)測設(shè)備中,可用于存儲患者數(shù)�(jù)和設(shè)備設(shè)置�
3. 物聯(lián)�(wǎng) (IoT)�
適合�(yīng)用于需要頻繁寫入傳感器�(shù)�(jù)的物�(lián)�(wǎng)節(jié)�(diǎn)�
4. 計量表:
例如智能電表中的�(shù)�(jù)日志記錄功能�
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:
用作用戶偏好�(shè)�、固件升級緩存等功能的存儲介�(zhì)�
MB85RS16TYM-G-NHECE1, MB85RS16PNF-G-JNIRE1