MD27C128-20/B 時間：2025/6/9 15:17:10 閱讀：1

MD27C128-20/B 是一種 CMOS 工藝制造的靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM），具有高速、低功耗的特點。該芯片提供了 128K x 8 的存儲容量，適用于需要高可靠性和快速數(shù)據(jù)訪問的應(yīng)用場景。
　　其設(shè)計采用了先進的封裝技術(shù)，確保了在各種工業(yè)和商業(yè)環(huán)境下的穩(wěn)定運行。由于 SRAM 不需要刷新操作，因此它在數(shù)據(jù)保持方面表現(xiàn)優(yōu)異，適合用于緩存、緩沖區(qū)和其他實時數(shù)據(jù)處理應(yīng)用。

參數(shù)

存儲容量：128K x 8
　　工作電壓：4.5V 至 5.5V
　　訪問時間：20ns
　　數(shù)據(jù)保留時間：無限（供電條件下）
　　封裝形式：44 引腳 PLCC 或 DIP
　　工作溫度范圍：0°C 至 +70°C（商業(yè)級），-40°C 至 +85°C（工業(yè)級）
　　I/O 結(jié)構(gòu)：三態(tài)輸出
　　靜態(tài)電流：最大 20mA
　　動態(tài)電流：最大 35mA

特性

MD27C128-20/B 提供了高性能的靜態(tài)存儲解決方案。
　　1. 高速訪問能力：20ns 的訪問時間使得該芯片能夠滿足對速度要求較高的應(yīng)用需求。
　　2. 低功耗設(shè)計：在待機模式下，芯片可以顯著降低功耗，延長系統(tǒng)的續(xù)航時間。
　　3. 簡化的接口：無需刷新電路，減少了系統(tǒng)設(shè)計的復(fù)雜性。
　　4. 可靠性高：采用 CMOS 技術(shù)制造，具備較強的抗干擾能力和穩(wěn)定性。
　　5. 多種封裝選項：PLCC 和 DIP 封裝滿足不同的安裝需求，便于集成到各種設(shè)備中。

應(yīng)用

MD27C128-20/B 廣泛應(yīng)用于需要高速數(shù)據(jù)讀寫和大容量存儲的場合。
　　1. 工業(yè)控制：用于 PLC、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)等需要快速響應(yīng)的工業(yè)設(shè)備。
　　2. 通信設(shè)備：作為緩存或臨時存儲單元，用于路由器、交換機等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。
　　3. 醫(yī)療設(shè)備：用于超聲波設(shè)備、監(jiān)護儀等需要實時數(shù)據(jù)處理的醫(yī)療儀器。
　　4. 消費類電子產(chǎn)品：如數(shù)碼相機、打印機中的緩存模塊。
　　5. 嵌入式系統(tǒng)：為微控制器提供額外的存儲空間，增強系統(tǒng)的功能和性能。