MD27C128-20/B 是一� CMOS 工藝制造的靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM),具有高�、低功耗的特點。該芯片提供� 128K x 8 的存儲容量,適用于需要高可靠性和快速數(shù)�(jù)訪問的應(yīng)用場��
其設(shè)計采用了先進的封裝技�(shù),確保了在各種工�(yè)和商�(yè)�(huán)境下的穩(wěn)定運�。由� SRAM 不需要刷新操�,因此它在數(shù)�(jù)保持方面表現(xiàn)�(yōu)�,適合用于緩�、緩沖區(qū)和其他實時數(shù)�(jù)處理�(yīng)��
存儲容量�128K x 8
工作電壓�4.5V � 5.5V
訪問時間�20ns
�(shù)�(jù)保留時間:無限(供電條件下)
封裝形式�44 引腳 PLCC � DIP
工作溫度范圍�0°C � +70°C(商�(yè)級)�-40°C � +85°C(工�(yè)級)
I/O �(jié)�(gòu):三�(tài)輸出
靜態(tài)電流:最� 20mA
動態(tài)電流:最� 35mA
MD27C128-20/B 提供了高性能的靜�(tài)存儲解決方案�
1. 高速訪問能力:20ns 的訪問時間使得該芯片能夠滿足對速度要求較高的應(yīng)用需求�
2. 低功耗設(shè)計:在待機模式下,芯片可以顯著降低功�,延長系�(tǒng)的續(xù)航時間�
3. 簡化的接口:無需刷新電路,減少了系統(tǒng)�(shè)計的�(fù)雜��
4. 可靠性高:采� CMOS 技�(shù)制�,具備較強的抗干擾能力和�(wěn)定��
5. 多種封裝選項:PLCC � DIP 封裝滿足不同的安裝需求,便于集成到各種設(shè)備中�
MD27C128-20/B 廣泛�(yīng)用于需要高速數(shù)�(jù)讀寫和大容量存儲的場合�
1. 工業(yè)控制:用� PLC、數(shù)�(jù)采集系統(tǒng)等需要快速響�(yīng)的工�(yè)�(shè)��
2. 通信�(shè)備:作為緩存或臨時存儲單�,用于路由器、交換機等網(wǎng)�(luò)�(shè)��
3. �(yī)療設(shè)備:用于超聲波設(shè)備、監(jiān)護儀等需要實時數(shù)�(jù)處理的醫(yī)療儀��
4. 消費類電子產(chǎn)品:如數(shù)碼相�、打印機中的緩存模塊�
5. 嵌入式系�(tǒng):為微控制器提供額外的存儲空�,增強系�(tǒng)的功能和性能�
MD27C128-25/B, CY62128BV30, AS6C1008-55B