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MD27C128-20/B 發(fā)布時間 時間:2025/6/9 15:17:10 查看 閱讀:1

MD27C128-20/B 是一種 CMOS 工藝制造的靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM),具有高速、低功耗的特點。該芯片提供了 128K x 8 的存儲容量,適用于需要高可靠性和快速數(shù)據(jù)訪問的應(yīng)用場景。
  其設(shè)計采用了先進的封裝技術(shù),確保了在各種工業(yè)和商業(yè)環(huán)境下的穩(wěn)定運行。由于 SRAM 不需要刷新操作,因此它在數(shù)據(jù)保持方面表現(xiàn)優(yōu)異,適合用于緩存、緩沖區(qū)和其他實時數(shù)據(jù)處理應(yīng)用。

參數(shù)

存儲容量:128K x 8
  工作電壓:4.5V 至 5.5V
  訪問時間:20ns
  數(shù)據(jù)保留時間:無限(供電條件下)
  封裝形式:44 引腳 PLCC 或 DIP
  工作溫度范圍:0°C 至 +70°C(商業(yè)級),-40°C 至 +85°C(工業(yè)級)
  I/O 結(jié)構(gòu):三態(tài)輸出
  靜態(tài)電流:最大 20mA
  動態(tài)電流:最大 35mA

特性

MD27C128-20/B 提供了高性能的靜態(tài)存儲解決方案。
  1. 高速訪問能力:20ns 的訪問時間使得該芯片能夠滿足對速度要求較高的應(yīng)用需求。
  2. 低功耗設(shè)計:在待機模式下,芯片可以顯著降低功耗,延長系統(tǒng)的續(xù)航時間。
  3. 簡化的接口:無需刷新電路,減少了系統(tǒng)設(shè)計的復(fù)雜性。
  4. 可靠性高:采用 CMOS 技術(shù)制造,具備較強的抗干擾能力和穩(wěn)定性。
  5. 多種封裝選項:PLCC 和 DIP 封裝滿足不同的安裝需求,便于集成到各種設(shè)備中。

應(yīng)用

MD27C128-20/B 廣泛應(yīng)用于需要高速數(shù)據(jù)讀寫和大容量存儲的場合。
  1. 工業(yè)控制:用于 PLC、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)等需要快速響應(yīng)的工業(yè)設(shè)備。
  2. 通信設(shè)備:作為緩存或臨時存儲單元,用于路由器、交換機等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。
  3. 醫(yī)療設(shè)備:用于超聲波設(shè)備、監(jiān)護儀等需要實時數(shù)據(jù)處理的醫(yī)療儀器。
  4. 消費類電子產(chǎn)品:如數(shù)碼相機、打印機中的緩存模塊。
  5. 嵌入式系統(tǒng):為微控制器提供額外的存儲空間,增強系統(tǒng)的功能和性能。

替代型號

MD27C128-25/B, CY62128BV30, AS6C1008-55B

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