MGSF1N02ELT1G 時間：2025/5/22 23:27:18 閱讀：19

MGSF1N02ELT1G 是一款由 Microchip 生產(chǎn)的 N 灃道晶體管（N-Channel MOSFET），主要用于開關和功率管理應用。該器件采用了先進的制造工藝，具備低導通電阻和高開關速度的特點，適合用于高效能電源轉換、負載開關、電機驅動等場合。
　　這款 MOSFET 的封裝形式為 LFPAK8 封裝，能夠提供良好的散熱性能和電氣特性。由于其出色的性能和可靠性，MGSF1N02ELT1G 在各種工業(yè)和消費類電子產(chǎn)品中得到了廣泛應用。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：64A
　　導通電阻：1.2mΩ
　　柵極電荷：39nC
　　開關速度：非�？�
　　工作溫度范圍：-55℃ to 175℃

特性

MGSF1N02ELT1G 具有以下主要特性：
　　1. 極低的導通電阻（Rds(on)），有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　2. 高額定電流能力，支持大電流應用場景。
　　3. 高速開關性能，確保在高頻應用中的卓越表現(xiàn)。
　　4. 小型化封裝設計，節(jié)省 PCB 空間，同時保持良好的散熱性能。
　　5. 寬工作溫度范圍，適應各種惡劣環(huán)境條件。
　　6. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設備中。

應用

MGSF1N02ELT1G 適用于多種應用領域，包括但不限于以下場景：
　　1. 開關電源（SMPS）中的同步整流和功率轉換。
　　2. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關和保護電路。
　　3. 電機驅動器中的功率級控制。
　　4. 工業(yè)自動化設備中的開關和調節(jié)功能。
　　5. 消費類電子產(chǎn)品中的快速充電適配器和便攜式設備電源管理。
　　6. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)的功率管理模塊。