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MGSF1N02ELT1G 發(fā)布時間 時間:2025/5/22 23:27:18 查看 閱讀:19

MGSF1N02ELT1G 是一款由 Microchip 生產(chǎn)的 N 灃道晶體管(N-Channel MOSFET),主要用于開關和功率管理應用。該器件采用了先進的制造工藝,具備低導通電阻和高開關速度的特點,適合用于高效能電源轉換、負載開關、電機驅動等場合。
  這款 MOSFET 的封裝形式為 LFPAK8 封裝,能夠提供良好的散熱性能和電氣特性。由于其出色的性能和可靠性,MGSF1N02ELT1G 在各種工業(yè)和消費類電子產(chǎn)品中得到了廣泛應用。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:64A
  導通電阻:1.2mΩ
  柵極電荷:39nC
  開關速度:非�?�
  工作溫度范圍:-55℃ to 175℃

特性

MGSF1N02ELT1G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)),有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
  2. 高額定電流能力,支持大電流應用場景。
  3. 高速開關性能,確保在高頻應用中的卓越表現(xiàn)。
  4. 小型化封裝設計,節(jié)省 PCB 空間,同時保持良好的散熱性能。
  5. 寬工作溫度范圍,適應各種惡劣環(huán)境條件。
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設備中。

應用

MGSF1N02ELT1G 適用于多種應用領域,包括但不限于以下場景:
  1. 開關電源(SMPS)中的同步整流和功率轉換。
  2. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關和保護電路。
  3. 電機驅動器中的功率級控制。
  4. 工業(yè)自動化設備中的開關和調節(jié)功能。
  5. 消費類電子產(chǎn)品中的快速充電適配器和便攜式設備電源管理。
  6. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)的功率管理模塊。

替代型號

MGSF1N02ELT1GA, MGSF1N02ELT1GB

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