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MHCI06030-150M-R8 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/10 12:10:48 查看 閱讀：22

MHCI06030-150M-R8 是一款高性能的 N 沱道 MOSFET 功率晶體管，采用 TO-252 (DPAK) 封裝形式。該器件適用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)合。它具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，能夠顯著提高電路效率并降低功耗。
　　其主要特點(diǎn)是采用了先進(jìn)的工藝技術(shù)以優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能和熱特性，適合中高功率密度的應(yīng)用需求。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：30A
　　導(dǎo)通電阻：1.5mΩ
　　柵極電荷：35nC
　　總電容：1400pF
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃

特性

MHCI06030-150M-R8 具有非常低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，僅為 1.5mΩ，這使得其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色。此外，該器件還擁有較低的柵極電荷，有助于實(shí)現(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)動(dòng)作，從而減少開(kāi)關(guān)損耗。
　　由于其較高的漏極電流能力和出色的熱管理設(shè)計(jì)，這款 MOSFET 可以在緊湊型系統(tǒng)中提供高效的功率轉(zhuǎn)換解決方案。
　　該產(chǎn)品的工作結(jié)溫范圍寬廣，能夠適應(yīng)惡劣環(huán)境下的運(yùn)行需求，同時(shí)具備良好的可靠性和穩(wěn)定性。
　　另外，MHCI06030-150M-R8 的 DPAK 封裝提供了卓越的散熱性能，便于將其集成到需要高效冷卻的設(shè)計(jì)之中。

應(yīng)用

該元器件廣泛應(yīng)用于各類電力電子設(shè)備中，包括但不限于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
　　3. 電池管理系統(tǒng) (BMS)
　　4. 工業(yè)控制與自動(dòng)化
　　5. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與逆變器
　　6. 照明驅(qū)動(dòng)（如 LED 驅(qū)動(dòng)）
　　7. 通信電源
　　這些應(yīng)用都依賴 MHCI06030-150M-R8 提供的高效率和可靠性來(lái)滿足嚴(yán)格的性能要求。

替代型號(hào)

IRFZ44N
　　FDP55N06L
　　STP30NF06L

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