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MHCI06030-150M-R8 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/10 12:10:48 查看 閱讀:22

MHCI06030-150M-R8 是一款高性能的 N 沱道 MOSFET 功率晶體管,采用 TO-252 (DPAK) 封裝形式。該器件適用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)合。它具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高電路效率并降低功耗。
  其主要特點(diǎn)是采用了先進(jìn)的工藝技術(shù)以優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能和熱特性,適合中高功率密度的應(yīng)用需求。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:30A
  導(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷:35nC
  總電容:1400pF
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

MHCI06030-150M-R8 具有非常低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),僅為 1.5mΩ,這使得其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色。此外,該器件還擁有較低的柵極電荷,有助于實(shí)現(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)動(dòng)作,從而減少開(kāi)關(guān)損耗。
  由于其較高的漏極電流能力和出色的熱管理設(shè)計(jì),這款 MOSFET 可以在緊湊型系統(tǒng)中提供高效的功率轉(zhuǎn)換解決方案。
  該產(chǎn)品的工作結(jié)溫范圍寬廣,能夠適應(yīng)惡劣環(huán)境下的運(yùn)行需求,同時(shí)具備良好的可靠性和穩(wěn)定性。
  另外,MHCI06030-150M-R8 的 DPAK 封裝提供了卓越的散熱性能,便于將其集成到需要高效冷卻的設(shè)計(jì)之中。

應(yīng)用

該元器件廣泛應(yīng)用于各類電力電子設(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
  3. 電池管理系統(tǒng) (BMS)
  4. 工業(yè)控制與自動(dòng)化
  5. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與逆變器
  6. 照明驅(qū)動(dòng)(如 LED 驅(qū)動(dòng))
  7. 通信電源
  這些應(yīng)用都依賴 MHCI06030-150M-R8 提供的高效率和可靠性來(lái)滿足嚴(yán)格的性能要求。

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP55N06L
  STP30NF06L

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