MHCI06030-150M-R8 是一款高性能的 N 沱道 MOSFET 功率晶體管,采用 TO-252 (DPAK) 封裝形式。該器件適用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)合。它具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高電路效率并降低功耗。
其主要特點(diǎn)是采用了先進(jìn)的工藝技術(shù)以優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能和熱特性,適合中高功率密度的應(yīng)用需求。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:30A
導(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷:35nC
總電容:1400pF
工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃
MHCI06030-150M-R8 具有非常低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),僅為 1.5mΩ,這使得其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色。此外,該器件還擁有較低的柵極電荷,有助于實(shí)現(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)動(dòng)作,從而減少開(kāi)關(guān)損耗。
由于其較高的漏極電流能力和出色的熱管理設(shè)計(jì),這款 MOSFET 可以在緊湊型系統(tǒng)中提供高效的功率轉(zhuǎn)換解決方案。
該產(chǎn)品的工作結(jié)溫范圍寬廣,能夠適應(yīng)惡劣環(huán)境下的運(yùn)行需求,同時(shí)具備良好的可靠性和穩(wěn)定性。
另外,MHCI06030-150M-R8 的 DPAK 封裝提供了卓越的散熱性能,便于將其集成到需要高效冷卻的設(shè)計(jì)之中。
該元器件廣泛應(yīng)用于各類電力電子設(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS)
4. 工業(yè)控制與自動(dòng)化
5. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與逆變器
6. 照明驅(qū)動(dòng)(如 LED 驅(qū)動(dòng))
7. 通信電源
這些應(yīng)用都依賴 MHCI06030-150M-R8 提供的高效率和可靠性來(lái)滿足嚴(yán)格的性能要求。
IRFZ44N
FDP55N06L
STP30NF06L