MKM34Z256VLL7 是一款由三星(Samsung)制造的256Mb�32MB)低功耗DDR3L SDRAM(同步動(dòng)�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。該器件專為移動(dòng)�(shè)備和嵌入式系�(tǒng)�(shè)�(jì),支持較低的工作電壓�1.35V�,能夠顯著降低功�。它采用了先�(jìn)的制程技�(shù),提供高帶寬和快速的�(shù)�(jù)傳輸能力,同�(shí)保持了較小的封裝尺寸以適�(yīng)緊湊型設(shè)�(jì)需��
這款芯片遵循JEDEC DDR3L�(biāo)�(zhǔn),支持高�(dá)1600Mbps的數(shù)�(jù)傳輸速率,適用于智能手機(jī)、平板電�、物�(lián)�(wǎng)�(shè)備以及其他對(duì)性能和功耗要求較高的�(yīng)用場(chǎng)��
容量�256Mb (32MB)
�(shù)�(jù)寬度:x8/x16/x32
工作電壓�1.35V
�(shù)�(jù)傳輸速率�1600Mbps
封裝類型:FBGA
引腳�(shù)�96
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
訪問�(shí)間:tRC=13.125ns
MKM34Z256VLL7具有以下主要特性:
1. 符合JEDEC DDR3L�(guī)范,確保與主流平�(tái)的良好兼容��
2. 支持多種突發(fā)�(zhǎng)度(BL=4/8)和CAS延遲�(shè)置(CL=9/10/11/12�,可根據(jù)具體�(yīng)用場(chǎng)景優(yōu)化性能�
3. �(nèi)置自�(dòng)刷新和自刷新功能,減少控制器�(fù)�(dān)并提升能��
4. 集成DLL(延遲鎖定環(huán)路)以保證信�(hào)完整��
5. 提供可編程ODT(片�(nèi)終結(jié)電阻�,改善信�(hào)�(zhì)量�
6. 小型化FBGA封裝,適合空間受限的�(shè)�(jì)�
7. 支持部分電源�(guān)閉模式(Partial Array Self Refresh, PASR)和深度電源�(guān)閉模式(Deep Power Down, DPD�,�(jìn)一步降低待�(jī)功耗�
MKM34Z256VLL7廣泛�(yīng)用于需要高效內(nèi)存管理的電子�(shè)備中,例如:
1. 智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)終端�
2. 超極本和其他便攜式計(jì)算機(jī)�
3. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT)網(wǎng)�(guān)及邊緣計(jì)算設(shè)��
4. �(shù)字電視、機(jī)頂盒和多媒體播放��
5. 工業(yè)自動(dòng)化控制模��
6. �(yī)療成像設(shè)備及便攜式醫(yī)療儀器�
7. 其他�(duì)低功耗和高性能有要求的嵌入式系�(tǒng)�
K4B2G164QF-MCBJ, MT41K256M16PT-125:H, IS43TR16512B-1BCN