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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > MKM34Z256VLL7

MKM34Z256VLL7 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 15:52:51 查看 閱讀�25

MKM34Z256VLL7 是一款由三星(Samsung)制造的256Mb�32MB)低功耗DDR3L SDRAM(同步動(dòng)�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。該器件專為移動(dòng)�(shè)備和嵌入式系�(tǒng)�(shè)�(jì),支持較低的工作電壓�1.35V�,能夠顯著降低功�。它采用了先�(jìn)的制程技�(shù),提供高帶寬和快速的�(shù)�(jù)傳輸能力,同�(shí)保持了較小的封裝尺寸以適�(yīng)緊湊型設(shè)�(jì)需��
  這款芯片遵循JEDEC DDR3L�(biāo)�(zhǔn),支持高�(dá)1600Mbps的數(shù)�(jù)傳輸速率,適用于智能手機(jī)、平板電�、物�(lián)�(wǎng)�(shè)備以及其他對(duì)性能和功耗要求較高的�(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

容量�256Mb (32MB)
  �(shù)�(jù)寬度:x8/x16/x32
  工作電壓�1.35V
  �(shù)�(jù)傳輸速率�1600Mbps
  封裝類型:FBGA
  引腳�(shù)�96
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  訪問�(shí)間:tRC=13.125ns

特�

MKM34Z256VLL7具有以下主要特性:
  1. 符合JEDEC DDR3L�(guī)范,確保與主流平�(tái)的良好兼容��
  2. 支持多種突發(fā)�(zhǎng)度(BL=4/8)和CAS延遲�(shè)置(CL=9/10/11/12�,可根據(jù)具體�(yīng)用場(chǎng)景優(yōu)化性能�
  3. �(nèi)置自�(dòng)刷新和自刷新功能,減少控制器�(fù)�(dān)并提升能��
  4. 集成DLL(延遲鎖定環(huán)路)以保證信�(hào)完整��
  5. 提供可編程ODT(片�(nèi)終結(jié)電阻�,改善信�(hào)�(zhì)量�
  6. 小型化FBGA封裝,適合空間受限的�(shè)�(jì)�
  7. 支持部分電源�(guān)閉模式(Partial Array Self Refresh, PASR)和深度電源�(guān)閉模式(Deep Power Down, DPD�,�(jìn)一步降低待�(jī)功耗�

�(yīng)�

MKM34Z256VLL7廣泛�(yīng)用于需要高效內(nèi)存管理的電子�(shè)備中,例如:
  1. 智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)終端�
  2. 超極本和其他便攜式計(jì)算機(jī)�
  3. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT)網(wǎng)�(guān)及邊緣計(jì)算設(shè)��
  4. �(shù)字電視、機(jī)頂盒和多媒體播放��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化控制模��
  6. �(yī)療成像設(shè)備及便攜式醫(yī)療儀器�
  7. 其他�(duì)低功耗和高性能有要求的嵌入式系�(tǒng)�

替代型號(hào)

K4B2G164QF-MCBJ, MT41K256M16PT-125:H, IS43TR16512B-1BCN

mkm34z256vll7推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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  • 詢價(jià)