MMBD2010是一種通用的硅雙極型晶體管,主要用作開�(guān)和放大器�。該晶體管屬于NPN類型,適用于各種低功率應(yīng)用場合。其�(shè)計確保了較高的電流增益(hFE)和良好的頻率特�,適合在中低頻段�(nèi)工作�
MMBD2010廣泛用于消費類電子產(chǎn)品、工�(yè)控制�(shè)備以及通信系統(tǒng)等場景中的信號處理和功率�(qū)動任�(wù)�
集電�-�(fā)射極電壓�40V
集電極電流:200mA
功率耗散�625mW
直流電流增益(hFE):最小�100,最大�600
過渡頻率�10MHz
存儲溫度范圍�-55℃至+150�
MMBD2010具有以下顯著特性:
1. 高電流增益,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的信號放��
2. 工作電壓適中,適用于多種電路�(huán)��
3. 較高的切換速度和頻率響�(yīng),支持較寬的工作頻帶�
4. 小型化封�,便于集成到緊湊型設(shè)計中�
5. 良好的熱�(wěn)定�,在寬溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)�(wěn)定�
該晶體管適用于以下應(yīng)用場景:
1. 開關(guān)電路中的�(qū)動元��
2. 音頻信號放大器中的核心組��
3. 電源管理模塊中的�(diào)節(jié)器或保護元件�
4. 消費類電子產(chǎn)品的控制單元�
5. 各種邏輯門電路的構(gòu)建基�(chǔ)元件�
2N2222A, BC337, PN2222A