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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > MMBD352WT1G

MMBD352WT1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/22 14:46:38 查看 閱讀�17

MMBD352WT1G 是一款雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT�,主要用于開關和放大應用。它屬于 NPN 類型的晶體管,適用于多種消費類電子產(chǎn)品、工�(yè)控制以及通信設備�。該器件具有低飽和電�、高增益以及快速開關速度的特�,適合用于需要高效能表現(xiàn)的電路設��
  這款晶體管廣泛應用于電源管理、信號調節(jié)、驅動電路等領域,同時其緊湊的封裝形式使其非常適合于空間受限的應用環(huán)��

參數(shù)

集電�-�(fā)射極擊穿電壓�45V
  集電極電流:-0.8A
  直流電流增益(hFE):最小� 100,典型� 250
  最大功耗:625mW
  結溫范圍�-55°C � +150°C
  封裝形式:SOT-23

特�

MMBD352WT1G 具有以下顯著特性:
  1. 高電流增益,能夠有效放大微弱信號�
  2. 快速開關能力,適用于高頻應用場��
  3. 低飽和電壓,有助于提高效率并減少功率損��
  4. 小型 SOT-23 封裝,便于在緊湊型設計中使用�
  5. 寬工作溫度范圍,適應各種惡劣�(huán)境條��
  6. �(wěn)定性好,長期使用仍能保持性能一致��

應用

MMBD352WT1G 的典型應用場景包括:
  1. 開關電路,例如繼電器驅動、LED 驅動等�
  2. 放大器電�,可用于音頻信號放大或其他小信號放大的場��
  3. 電源管理模塊中的負載開關或保護電路�
  4. 各種消費電子�(chǎn)品的控制電路,如家用電器、玩具等�
  5. 工業(yè)設備中的信號調節(jié)和傳輸電��
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的低功率驅動電路�

替代型號

MBR0520LT1G, MMBT3904LT1G

mmbd352wt1g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
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mmbd352wt1g參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭RF 二極�
  • 系列-
  • 二極管類�肖特� - 1 對串�(lián)
  • 電壓 - 峰值反�(最�)7V
  • 電流 - 最�-
  • 電容@ Vr, F1pF @ 0V�1MHz
  • 電阻@ Vr, F-
  • 功率耗散(最大)200mW
  • 封裝/外殼SC-70,SOT-323
  • 供應商設備封�SC-70-3(SOT323�
  • 包裝帶卷 (TR)