MMBD352WT1G 是一款雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT�,主要用于開關和放大應用。它屬于 NPN 類型的晶體管,適用于多種消費類電子產(chǎn)品、工�(yè)控制以及通信設備�。該器件具有低飽和電�、高增益以及快速開關速度的特�,適合用于需要高效能表現(xiàn)的電路設��
這款晶體管廣泛應用于電源管理、信號調節(jié)、驅動電路等領域,同時其緊湊的封裝形式使其非常適合于空間受限的應用環(huán)��
集電�-�(fā)射極擊穿電壓�45V
集電極電流:-0.8A
直流電流增益(hFE):最小� 100,典型� 250
最大功耗:625mW
結溫范圍�-55°C � +150°C
封裝形式:SOT-23
MMBD352WT1G 具有以下顯著特性:
1. 高電流增益,能夠有效放大微弱信號�
2. 快速開關能力,適用于高頻應用場��
3. 低飽和電壓,有助于提高效率并減少功率損��
4. 小型 SOT-23 封裝,便于在緊湊型設計中使用�
5. 寬工作溫度范圍,適應各種惡劣�(huán)境條��
6. �(wěn)定性好,長期使用仍能保持性能一致��
MMBD352WT1G 的典型應用場景包括:
1. 開關電路,例如繼電器驅動、LED 驅動等�
2. 放大器電�,可用于音頻信號放大或其他小信號放大的場��
3. 電源管理模塊中的負載開關或保護電路�
4. 各種消費電子�(chǎn)品的控制電路,如家用電器、玩具等�
5. 工業(yè)設備中的信號調節(jié)和傳輸電��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的低功率驅動電路�
MBR0520LT1G, MMBT3904LT1G