MMBT3904WLT1G 是一� NPN 型硅晶體管,廣泛應用于信號放大和開關(guān)電路。該器件采用 TO-236-3 封裝形式,具有小型化、低噪聲和高增益的特�,適用于各種消費類電子產(chǎn)品及工業(yè)控制應用。它屬于 ON Semiconductor(現(xiàn)為安森美半導體)推出� MMBT 系列晶體管產(chǎn)品之一�
集電�-�(fā)射極電壓(VCEO):40V
集電�-基極電壓(VCBO):50V
�(fā)射極-基極電壓(VEBO):6V
最大集電極電流(IC):200mA
連續(xù)集電極功耗(Ptot):310mW
直流電流增益(hFE):最小� 100,典型� 300
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
MMBT3904WLT1G 晶體管具有以下特點:
1. 高增益性能,適合需要精確控制的小信號放大應��
2. 工作頻率范圍�,能夠滿足多種高頻及低頻應用場景的需求�
3. 具備低飽和電壓和快速開�(guān)能力,適用于開關(guān)電路�
4. 采用無鉛封裝設計,符合環(huán)� RoHS 標準要求�
5. 溫度�(wěn)定性好,在較寬的工作溫度范圍內(nèi)仍能保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
該晶體管常用于以下領域:
1. 音頻設備中的小信號放��
2. 各種電子開關(guān)電路,如繼電器驅(qū)�、LED �(qū)動等�
3. 無線通信系統(tǒng)中的射頻前端模塊�
4. 測量儀器中的信號調(diào)節(jié)與處��
5. 電池供電設備中的電源管理部分�
6. 工業(yè)自動化設備中的傳感器接口電路�
2N3904, BC337, MPS2222A