MPCET-S5201-TP68 是一款基于增強型硅基氮化� (GaN) 技術的高效功率晶體�。該器件采用常關型設�,具有高擊穿電壓、低導通電阻和快速開關特�,適合用于高頻開關電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等應用領域�
其封裝形式為 TO-247-4L,能夠有效提升散熱性能并支持大電流操作。此�,該芯片�(nèi)置了過溫保護與過流保護功�,從而提高了系統(tǒng)的可靠性和安全��
額定電壓�650V
額定電流�20A
導通電阻:9mΩ(典型值)
柵極電荷�55nC(最大值)
開關頻率范圍:高� 5MHz
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-4L
1. 使用增強型氮化鎵技�,提供比傳統(tǒng)� MOSFET 更高的效率和更低的損耗�
2. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流條件下保持較低的功��
3. 高頻開關能力使得 MPCET-S5201-TP68 可以顯著減小無源元件尺寸,例如電感和變壓�,進而降低整體系�(tǒng)成本�
4. �(nèi)置多重保護機�,包括過溫保護和過流保護,增強了器件在惡劣環(huán)境中的穩(wěn)定性�
5. 寬泛的工作溫度范圍使其適用于工業(yè)、汽車及消費類電子設備的各種應用場景�
1. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器
2. 開關模式電源(SMPS�
3. 無線充電系統(tǒng)
4. 太陽能逆變�
5. 電動汽車車載充電器(OBC�
6. 工業(yè)電機�(qū)動控�
7. 快速充電適配器