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MSD8386BQM-8-003D 發(fā)布時間 時間�2025/5/14 16:38:01 查看 閱讀�21

MSD8386BQM-8-003D是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及負(fù)載開�(guān)等電路中。該器件采用先�(jìn)的制程技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并降低功��
  該型號屬于MOSFET系列中的N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管,適合高電流和高頻�(yīng)用場�。其封裝形式緊湊,便于設(shè)計到空間受限的應(yīng)用場景中�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�140A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ(典型值)
  總功耗:15W
  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247

特�

MSD8386BQM-8-003D的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗,從而提升系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用,降低開關(guān)損��
  3. 良好的熱性能,確保在高功率應(yīng)用場景下的穩(wěn)定運(yùn)��
  4. �(qiáng)大的過流保護(hù)能力和魯棒�,使其能夠在惡劣�(huán)境中可靠工作�
  5. 小巧的封裝設(shè)�,簡化PCB布局并節(jié)省空��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�

�(yīng)�

該芯片適用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主功率級開�(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或降�/升壓開關(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率輸出級�
  4. 各類�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的高電流切換元��

替代型號

MSD8386BQM-8-002D, IRF840, FDP5580

msd8386bqm-8-003d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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