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MT15N0R5C500CT 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 14:40:29 查看 閱讀�11

MT15N0R5C500CT 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),專為高頻、高效率和高功率密度�(yīng)用而設(shè)�。該器件采用了先進的封裝工藝,能�?qū)崿F(xiàn)卓越的開�(guān)性能和低�(dǎo)通電阻特�。其適用于電源管理、射頻放大器及高速開�(guān)電路等領(lǐng)��
  這款 GaN 器件在材料特性和�(jié)�(gòu)�(shè)計上具有顯著�(yōu)勢,能夠在高頻條件下提供更高效的能量�(zhuǎn)�,并減少傳統(tǒng)硅基 MOSFET 的局限性�

參數(shù)

型號:MT15N0R5C500CT
  類型:GaN HEMT
  最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�20A
  �(dǎo)通電阻:4.5mΩ
  柵極-源極電壓:�8V
  功耗:300W
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

MT15N0R5C500CT 具備出色的開�(guān)速度和低開關(guān)損耗特�,同時保持了較低的導(dǎo)通電阻,從而提高了整體系統(tǒng)效率�
  1. 高效開關(guān)性能:得益于氮化鎵技�(shù),該器件能夠在高頻下運行并顯著降低開�(guān)損耗�
  2. 緊湊型設(shè)計:采用�(yōu)化的封裝形式,適合空間受限的�(yīng)用場景�
  3. 耐高溫能力:支持高達 175°C 的結(jié)溫操�,滿足嚴苛環(huán)境下的使用需求�
  4. 快速恢�(fù)時間:極短的開關(guān)延遲時間使得 MT15N0R5C500CT 成為高頻�(yīng)用的理想選擇�
  這些特點使其成為�(xiàn)代電力電子設(shè)備中不可或缺的核心元件之一�

�(yīng)�

MT15N0R5C500CT 廣泛�(yīng)用于需要高效能和快速響�(yīng)的領(lǐng)�,例如:
  1. �(shù)�(jù)中心電源供應(yīng)單元 (PSU) 和服�(wù)器電源適配器�
  2. 新能源汽車中� DC-DC �(zhuǎn)換器和車載充電器�
  3. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
  4. 工業(yè)級電機驅(qū)動器和自動化控制系統(tǒng)�
  5. 射頻功率放大器以及通信基站中的高頻信號處理模塊�
  憑借其�(yōu)異的性能表現(xiàn),此� GaN 晶體管為眾多高科技行業(yè)提供了可靠的解決方案�

替代型號

MT15N0R5C400CT, MT15N0R5C600CT

mt15n0r5c500ct推薦供應(yīng)� 更多>

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