MT18N101K101CT是一款高性能的DDR3L SDRAM內存芯片,主要用于移動設�、嵌入式系統(tǒng)以及其他對低功耗和高帶寬有要求的應用場�。該芯片由Micron Technology(美光科技)生�(chǎn),采用先進的制造工�,具備低功耗和高可靠性的特點�
DDR3L是DDR3的低電壓版本,工作電壓為1.35V,相比標準DDR3�1.5V能夠顯著降低功�,非常適合電池供電的便攜式設備。此芯片具有出色的性能和容�,支持快速的�(shù)�(jù)傳輸速率�
容量�1Gb�128Mb x 8�
接口類型:DDR3L
工作電壓�1.35V
�(shù)�(jù)速率�800Mbps~1600Mbps
封裝形式:FBGA 78-ball
工作溫度范圍�-40°C ~ +85°C
I/O標準:SSTL-15
引腳配置�78-ball FBGA
1. 低工作電�1.35V,有效降低功��
2. 支持高達1600Mbps的數(shù)�(jù)傳輸速率,滿足高速數(shù)�(jù)處理需��
3. 具備On-Die Termination(ODT)功能,�(yōu)化信號完整��
4. 內置溫度補償自刷新(Temperature Compensated Self-Refresh,TCSR�,在不同溫度下保持數(shù)�(jù)�(wěn)定��
5. 支持Partial Array Self-Refresh(PASR)模式,進一步降低待機功��
6. 高可靠性設�,適用于嚴苛�(huán)境下的應��
7. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛封��
MT18N101K101CT廣泛應用于各類需要高效能和低功耗存儲的領域�
1. 智能手機和平板電腦等移動設備�
2. 嵌入式系�(tǒng),如工業(yè)控制、醫(yī)療設備、網(wǎng)絡通信設備�
3. 可穿戴設備和其他便攜式電子產(chǎn)��
4. �(shù)字電�、機頂盒及其他消費類電子�(chǎn)品�
5. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT)設備及邊緣計算平臺�
MT18N101K101BT, MT18N101K101D