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MT18N101K101CT 發(fā)布時間 時間:2025/6/6 12:56:40 查看 閱讀:8

MT18N101K101CT是一款高性能的DDR3L SDRAM內存芯片,主要用于移動設備、嵌入式系統(tǒng)以及其他對低功耗和高帶寬有要求的應用場景。該芯片由Micron Technology(美光科技)生產(chǎn),采用先進的制造工藝,具備低功耗和高可靠性的特點。
  DDR3L是DDR3的低電壓版本,工作電壓為1.35V,相比標準DDR3的1.5V能夠顯著降低功耗,非常適合電池供電的便攜式設備。此芯片具有出色的性能和容量,支持快速的數(shù)據(jù)傳輸速率。

參數(shù)

容量:1Gb(128Mb x 8)
  接口類型:DDR3L
  工作電壓:1.35V
  數(shù)據(jù)速率:800Mbps~1600Mbps
  封裝形式:FBGA 78-ball
  工作溫度范圍:-40°C ~ +85°C
  I/O標準:SSTL-15
  引腳配置:78-ball FBGA

特性

1. 低工作電壓1.35V,有效降低功耗。
  2. 支持高達1600Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率,滿足高速數(shù)據(jù)處理需求。
  3. 具備On-Die Termination(ODT)功能,優(yōu)化信號完整性。
  4. 內置溫度補償自刷新(Temperature Compensated Self-Refresh,TCSR),在不同溫度下保持數(shù)據(jù)穩(wěn)定性。
  5. 支持Partial Array Self-Refresh(PASR)模式,進一步降低待機功耗。
  6. 高可靠性設計,適用于嚴苛環(huán)境下的應用。
  7. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛封裝。

應用

MT18N101K101CT廣泛應用于各類需要高效能和低功耗存儲的領域:
  1. 智能手機和平板電腦等移動設備。
  2. 嵌入式系統(tǒng),如工業(yè)控制、醫(yī)療設備、網(wǎng)絡通信設備。
  3. 可穿戴設備和其他便攜式電子產(chǎn)品。
  4. 數(shù)字電視、機頂盒及其他消費類電子產(chǎn)品。
  5. 物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設備及邊緣計算平臺。

替代型號

MT18N101K101BT, MT18N101K101D

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