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MTVA0600N09G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 19:38:14 查看 閱讀�35

MTVA0600N09G是英飛凌(Infineon)推出的一款高性能、低�(dǎo)通電阻的MOSFET功率晶體�。該器件采用TRENCHSTOP?技�(shù)制造,具有卓越的開�(guān)性能和熱特�,適用于工業(yè)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、太陽能逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場��
  MTVA0600N09G為N溝道增強(qiáng)型MOSFET,封裝形式為TO-247-3,其額定電壓�900V,能夠承受較高的漏源極電�,同�(shí)具備較低的導(dǎo)通電�,在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的效率和可靠��

參數(shù)

型號(hào):MTVA0600N09G
  類型:N溝道MOSFET
  額定電壓(Vds):900V
  額定電流(Id):600A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.6mΩ(典型�,@Vgs=15V�
  柵極電荷(Qg):130nC(最大值)
  輸入電容(Ciss):3880pF
  總功耗(Ptot):30W
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

MTVA0600N09G采用了先�(jìn)的TRENCHSTOP? IGBT技�(shù),具有以下顯著特性:
  1. 高電壓耐受能力:額定電壓為900V,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)用�
  2. 超低�(dǎo)通電阻:在高電流條件�,導(dǎo)通損耗極�,有助于提升系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)性能:較低的柵極電荷和輸入電容設(shè)�(jì),使開關(guān)速度更快,減少開�(guān)損耗�
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠承受高溫運(yùn)行條件,確保長時(shí)間穩(wěn)定工��
  5. �(qiáng)大的浪涌電流能力:可�(yīng)�(duì)瞬間大電流沖�,提高系�(tǒng)的可靠��
  6. 封裝�(jiān)固耐用:TO-247-3封裝形式,便于散熱和安裝,適合高功率密度的設(shè)�(jì)需求�

�(yīng)�

MTVA0600N09G廣泛�(yīng)用于各種高功�、高壓場�,包括但不限于:
  1. 工業(yè)電源:如不間斷電源(UPS)、焊接設(shè)備等�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于大功率電機(jī)控制,如伺服�(qū)�(dòng)、變頻器等�
  3. 新能源領(lǐng)域:例如太陽能逆變�、風(fēng)能轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
  4. 電動(dòng)汽車(EV)充電站:作為關(guān)鍵功率轉(zhuǎn)換元��
  5. 開關(guān)電源(SMPS):在需要高效率和高可靠性的場合下使��

替代型號(hào)

MTVD0600N09G, FGH06N90LD, IRGP4094

mtva0600n09g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)