MUN5335DW1T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)的 N 沃爾特溝道增強(qiáng)型 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適用于各種電源管理應(yīng)用。它通常用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。
該器件封裝形式為 DPAK (TO-263),具有較大的散熱面積,能夠有效降低工作溫度并提高系統(tǒng)的可靠性。
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流:40A
導(dǎo)通電阻(典型值):4.5mΩ
柵極電荷(典型值):85nC
總電容(輸入電容):1320pF
開關(guān)速度:快速
工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 175℃
封裝類型:DPAK (TO-263)
MUN5335DW1T1G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可顯著降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)速度,減少開關(guān)損耗,非常適合高頻應(yīng)用。
3. 高額定電流能力,支持高達(dá) 40A 的連續(xù)漏極電流,適用于大功率場(chǎng)景。
4. 寬工作溫度范圍,能夠在 -55℃ 至 175℃ 的環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 具有良好的熱性能,DPAK 封裝設(shè)計(jì)提供更大的散熱面積,確保長(zhǎng)期可靠運(yùn)行。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足現(xiàn)代工業(yè)要求。
MUN5335DW1T1G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS),如適配器、充電器等。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和電源管理。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,支持高效的無(wú)刷直流電機(jī)控制。
4. 負(fù)載開關(guān),用于保護(hù)電路免受過(guò)流和短路的影響。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
6. 汽車電子系統(tǒng)中的各類功率轉(zhuǎn)換和驅(qū)動(dòng)功能。
其卓越的電氣性能和熱性能使其成為高效率、高可靠性應(yīng)用的理想選擇。
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