MUN5335DW1T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)� N 沃爾特溝道增�(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適用于各種電源管理�(yīng)用。它通常用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)��
該器件封裝形式為 DPAK (TO-263),具有較大的散熱面積,能夠有效降低工作溫度并提高系統(tǒng)的可靠��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷(典型值)�85nC
總電容(輸入電容):1320pF
開關(guān)速度:快�
工作�(jié)溫范圍:-55� � 175�
封裝類型:DPAK (TO-263)
MUN5335DW1T1G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損�,非常適合高頻應(yīng)��
3. 高額定電流能�,支持高�(dá) 40A 的連續(xù)漏極電流,適用于大功率場(chǎng)��
4. 寬工作溫度范圍,能夠� -55� � 175� 的環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. 具有良好的熱性能,DPAK 封裝�(shè)�(jì)提供更大的散熱面積,確保�(zhǎng)期可靠運(yùn)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
MUN5335DW1T1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,如適配�、充電器��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和電源管��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,支持高效的�(wú)刷直流電�(jī)控制�
4. �(fù)載開�(guān),用于保�(hù)電路免受�(guò)流和短路的影��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的各類功率�(zhuǎn)換和�(qū)�(dòng)功能�
其卓越的電氣性能和熱性能使其成為高效�、高可靠性應(yīng)用的理想選擇�
MUN5335GW1T1G, MUN5335DW1T1GL, MUN5335GW1T1GL