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MUN5335DW1T1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/29 10:24:45 查看 閱讀：34

MUN5335DW1T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）生產(chǎn)的 N 沃爾特溝道增強(qiáng)型 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能，適用于各種電源管理應(yīng)用。它通常用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。
　　該器件封裝形式為 DPAK (TO-263)，具有較大的散熱面積，能夠有效降低工作溫度并提高系統(tǒng)的可靠性。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：40A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：4.5mΩ
　　柵極電荷（典型值）：85nC
　　總電容（輸入電容）：1320pF
　　開關(guān)速度：快速
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 175℃
　　封裝類型：DPAK (TO-263)

特性

MUN5335DW1T1G 的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，可顯著降低傳導(dǎo)損耗，提升系統(tǒng)效率。
　　2. 快速開關(guān)速度，減少開關(guān)損耗，非常適合高頻應(yīng)用。
　　3. 高額定電流能力，支持高達(dá) 40A 的連續(xù)漏極電流，適用于大功率場(chǎng)景。
　　4. 寬工作溫度范圍，能夠在 -55℃ 至 175℃ 的環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 具有良好的熱性能，DPAK 封裝設(shè)計(jì)提供更大的散熱面積，確保長(zhǎng)期可靠運(yùn)行。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足現(xiàn)代工業(yè)要求。

應(yīng)用

MUN5335DW1T1G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)模式電源（SMPS），如適配器、充電器等。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器，用于電壓調(diào)節(jié)和電源管理。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，支持高效的無(wú)刷直流電機(jī)控制。
　　4. 負(fù)載開關(guān)，用于保護(hù)電路免受過(guò)流和短路的影響。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
　　6. 汽車電子系統(tǒng)中的各類功率轉(zhuǎn)換和驅(qū)動(dòng)功能。
　　其卓越的電氣性能和熱性能使其成為高效率、高可靠性應(yīng)用的理想選擇。

替代型號(hào)

MUN5335GW1T1G, MUN5335DW1T1GL, MUN5335GW1T1GL

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mun5335dw1t1g資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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mun5335dw1t1g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
  • 系列-
  • 晶體管類型1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）50V
  • 電阻器 - 基極 (R1)（歐）2.2k
  • 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）47k
  • 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)80 @ 5mA，10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）250mV @ 300µA，10mA
  • 電流 - 集電極截止（最大）500nA
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-363
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MUN5335DW1T1G-NDMUN5335DW1T1GOSTR