MURS120T3G是一款高電流表面貼裝二極�,由ON Semiconductor生產(chǎn)。它采用SOD-123封裝,尺寸為2.9mm x 1.8mm x 1.2mm,適用于各種電子�(shè)備的緊湊空間�
MURS120T3G具有最大反向電壓為200V和最大連續(xù)正向電流�1A的特�。它具有低反向漏電流和快速恢�(fù)�(shí)間,可用于高頻開(kāi)�(guān)和整流應(yīng)��
該二極管采用高溫�(huán)境下可靠的PN�(jié)技�(shù),確保了�(zhǎng)期穩(wěn)定的性能和高可靠性。它還具有低正向壓降和低反向恢復(fù)�(shí)�,有助于減少功耗和提高效率�
MURS120T3G還具有低散熱特性,可以在高溫環(huán)境下�(yùn)行而不�(huì)�(guò)�。它還具有低電感和低電容,有助于減少電路中的噪聲和干擾�
該二極管符合RoHS要求,不含鉛和其他有害物�(zhì),對(duì)�(huán)境友�。它還通過(guò)了可靠性測(cè)�,包括高溫循�(huán)、濕度循�(huán)和溫度沖擊等�
最大反向電壓(VRRM):200V
最大正向電流(IF):1A
封裝�(lèi)型:SOD-123
尺寸�2.9mm x 1.8mm x 1.2mm
重量:約0.02g
反向恢復(fù)�(shí)間(Trr):20ns
最大反向漏電流(IR):5μA
最大正向壓降(VF):1.1V
MURS120T3G由PN�(jié)組成,其中N區(qū)是負(fù)極,P區(qū)是正�。它采用高溫�(huán)境下可靠的PN�(jié)技�(shù),確保了�(zhǎng)期穩(wěn)定的性能和高可靠性�
MURS120T3G是一種整流二極管,用于將交流信號(hào)�(zhuǎn)換為直流信號(hào)。當(dāng)正向電壓大于正向壓降�(shí),二極管�(jìn)入導(dǎo)通狀�(tài),電流可以從P區(qū)流到N區(qū)。而當(dāng)反向電壓大于反向電壓�(shí),二極管處于截止?fàn)顟B(tài),幾乎沒(méi)有電流通過(guò)�
低反向漏電流:MURS120T3G具有低反向漏電流特�,可以減少功耗和提高效率�
快速恢�(fù)�(shí)間:該二極管具有快速恢�(fù)�(shí)間,適用于高頻開(kāi)�(guān)和整流應(yīng)��
低正向壓降:MURS120T3G具有低正向壓降特�,可以減少能量損��
低散熱特性:該二極管具有低散熱特�,可以在高溫�(huán)境下�(yùn)行而不�(huì)�(guò)��
低電感和低電容:MURS120T3G具有低電感和低電容,有助于減少電路中的噪聲和干擾�
�(shè)�(jì)流程通常包括以下幾�(gè)步驟�
確定�(yīng)用需求和性能指標(biāo)�
選擇適當(dāng)?shù)亩O管類(lèi)型和封裝�
�(jìn)行電路設(shè)�(jì)和仿真�
制作電路原型并�(jìn)行測(cè)試和�(yàn)��
�(duì)電路�(jìn)行優(yōu)化和�(diào)�,使其滿(mǎn)足要��
�(jìn)行批量生�(chǎn)和應(yīng)��
在設(shè)�(jì)中應(yīng)確保電壓和電流不超過(guò)該二極管的額定值,以避免損��
根據(jù)�(shí)際需求選擇適�(dāng)?shù)纳岽胧?,以確保二極管在高溫�(huán)境下正常工作�
注意電路布局和連接的可靠�,以避免干擾和電路損��