NCE55P05S 是一款高性能� N 溝道增強� MOSFET,適用于各種開關和功率管理應用。該器件采用了先進的制造工�,具有低導通電�、高電流處理能力和快速開關速度等特性。它廣泛應用于電源適配器、DC-DC 轉換�、電機驅動以及負載開關等領域�
其封裝形式為 SOT-23,這種小型化封裝使� NCE55P05S 在空間受限的應用中非常受歡迎�
型號:NCE55P05S
類型:N 溝道增強� MOSFET
最大漏源電壓(VDS):50 V
最大柵源電壓(VGS):±20 V
連續(xù)漏極電流(ID):5.6 A(@Tc=25℃)
導通電阻(RDS(on)):1.1 Ω(典型值,@VGS=4.5V�
柵極電荷(Qg):17 nC
開關時間:開啟時間(t_on):15 ns,關閉時間(t_off):48 ns
工作溫度范圍�-55� � +150�
NCE55P05S 具有以下顯著特點�
1. 極低的導通電�,有助于降低功耗并提高效率�
2. 快速的開關速度,使其非常適合高頻開關應��
3. 高電流處理能�,確保在大負載條件下�(wěn)定運��
4. 小型 SOT-23 封裝設計,節(jié)省了 PCB 空間�
5. 寬泛的工作溫度范圍,適應多種�(huán)境條件下的使用需��
6. 高可靠�,能夠承受較高的瞬態(tài)電壓和電流沖��
NCE55P05S 的主要應用場景包括:
1. 開關電源中的同步整流和初級側開關�
2. DC-DC 轉換器中的開關元件�
3. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關和保護電��
4. 電機驅動電路中的功率級控��
5. 各種便攜式電子設備中的功率管理模��
6. LED 驅動電路中的電流調節(jié)元件�
NCE55P05H, BSS138, AO3400